摘要：针对氮化镓功率器件(GaN FET)栅极驱动电路应用,本文设计了一款具有4 kVRMS隔离电压能力的双通道电容隔离式栅极驱动器,采用通-断键控(on-off keying,OOK)、脉冲双模式,分别应对高速、低速信号传输;采用商用半导体工艺中金属层作为基板,并采用聚酰亚胺(polyimide,PI)层作为介质层,形成较高耐压的电容,电容典型值为90 fF;采用微电流振荡器作为芯片核心振荡器,使振荡频率达到600 MHz的同时具有较低功耗,保证高速信号的有效传输。基于互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺设计验证,此驱动器电路的共模脉冲抑制(common mode transient immunity,CMTI)能力高达100 kV/μs,数据典型传输延时小于20 ns,典型传输速率可达10 Mbit/s。

摘要：设计了一种易于集成、适用于驱动高侧N型开关管的栅极驱动器,该电路具有成本低、速度快、驱动能力强等特点,可以满足大尺寸高侧N型开关管的驱动需求。内置的、可持续工作的电荷泵能够驱动高侧N型开关管,使之恒定导通,解决了传统自举电路中低侧开关管不工作时高侧开关管输出电压不稳定的问题。该方案无需使用外置的自举电容,降低了栅极驱动器的使用成本和封装成本。采用0.18μm BCD工艺进行设计,并成功流片。测试结果表明,该栅极驱动器可以驱动面积达0.5 mm^2的高侧N型开关管,电路可靠性高。

摘要：利用低端栅极驱动器IC可以简化开关电源转换器的设计,但这些IC必须正确运用才能充分发挥其潜力,以最大限度地减小电源尺寸和提高效率。如何根据额定电流和功能来选择适当的驱动器,驱动器周围需要哪些补偿元件,以及如何确定热性能等是设计时要注意的方面。

摘要：日前，德州仪器（TI）宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的4A/8A与4A/4A单通道低侧栅极驱动哭，其可最大限度减少MOSFET、IGBT电源器件以及诸如氮化镓（GaN）器件等宽带隙半导体的开关损耗。

摘要：:IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制 ,同时剖析了它的内部结构和工作原理 。

摘要：与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，由于具有较低的导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）以及超小的体积，增强型GaNFET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。LM5113驱动集成电路化解了这些挑战，使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaNFET的优势。

摘要：2007年5月16日，全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司宣布，推出高频6A吸入电流同步（sink synchronous）MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。

摘要：凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出LTC4441新的高可靠性（MP级）版本，该器件是一款6AN沟道MOSFET栅极驱动器，在-55℃至125℃的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加DC／DC控制器的输出功率及效率，从而使其能够驱动高功率N沟道MOSFET或多个并联的MOSFET。

摘要：TI发布5．7kVRMs隔离式双通道栅极驱动器，该产品是T幛鬲离产品组合中新型栅极驱动器家族的第一款产品。因其高度的灵活性和通用兼容性，UCC21520N离式驱动器能够广泛地用于低端、高端、高端／低端或半桥电源管理设计。

摘要：日前，德州仪器（TI）宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管（IGBT）与碳化硅（SiC）FET的35v单通道输出级电源管理栅极驱动器。T1支持拆分输出的最新UCC27531与UCC27532输出级栅极驱动器可为隔离式电源设计提供最高效率的输出驱动功能、最低的传播延迟以及更高的系统保护力，以充分满足太阳能DC／AC逆变器、不问断电源供应以及电动汽车充电等应用需求。