文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

低压MOSFET集成ESD保护结构的设计方法: 收藏
分享
引用; 《集成电路应用》2020年第9期37卷 192-194页; 作者：方绍明赵美英深圳市明微电子股份有限公司广东518000 深圳方正微电子有限公司广东518000; 为了有效防止低压MOSFET在受到静电击穿而损坏产品,需要设计专门的静电保护二极管,并联在MOSFET的栅极和源极之间,以对栅氧化层进行保护。静电保护结构的设计规则尺寸、注入剂量和级联结构,都会影响保护效果。设计者需在弄清ESD保护工...; 为了有效防止低压MOSFET在受到静电击穿而损坏产品,需要设计专门的静电保护二极管,并联在MOSFET的栅极和源极之间,以对栅氧化层进行保护。静电保护结构的设计规则尺寸、注入剂量和级联结构,都会影响保护效果。设计者需在弄清ESD保护工作机理后、根据产品静电等级需要,确定保护二极管的特性参数,并结合工艺可行性及成本等因素,设计出最合适的ESD保护结构。; 来源：详细信息评论

限定检索结果