摘要：传统带隙基准结构的欠压锁定(UVLO)电路存在结构复杂、温漂特性差、功耗高等缺陷。为精准实现低温漂,提出了一种欠压锁定电路结构,该结构基于差分放大器的非对称性产生滞回电压,进而降低了阈值电压的温度敏感性,提高了阈值电压的精度。该欠压保护电路通过反馈控制法产生了上、下门限阈值电压,克服了单个阈值抗干扰能力差的缺点。电路基于0.18μm BCD工艺设计,仿真结果表明:当电源电压高于上门限阈值电压(V_(IH))2.2 V时,芯片系统正常工作;当电源电压低于下门限阈值电压2.01 V时,芯片系统被关断;在-55~+125℃温度范围内,该电路的滞回电压为0.19 V,V_(IH)温漂为0.01 V,滞回电压温漂为0.07 V,且该欠压锁定电路的功耗在3 V电源下为9.54μW。

摘要：集成电路的低功耗、高集成度已经成为发展趋势.传统的欠压锁定电路需要外部电路提供带隙基准电压和偏置电流,电路结构复杂;同时,当发生欠压锁定,关断芯片时,却要保证带隙基准电路始终正常工作,不利于芯片功耗的降低.针对传统欠压锁定电路结构的缺点,设计了一种基于三极管的欠压锁定电路,不需要外部电路提供基准电压和偏置电流,电路结构简单,响应速度快.基于三极管的欠压锁定电路的阈值受PVT影响较小,而且功耗低。基于0.18μmBCD工艺进行了全面的仿真验证,结果表明,当电源电压下降时,电路在电源电压小于2.06 V时系统关闭,避免当电源电压过低时导致数字逻辑发生错误以及器件损坏;当电源电压上升时,电路在电源电压大于2.38 V时系统重新启动.为避免芯片在欠压锁定阈值附近来回翻转,设计的欠压保护迟滞量为320 mV,防止误操作。在-40~85℃温度范围内欠压锁定阈值电压精度为1.36%,功耗仅为22μW.

摘要：设计了一种用于GaN栅驱动芯片的高可靠欠压锁定电路,该电路能精确响应并输出保护信号以确保电路安全。欠压锁定采用快速响应的差分比较器电路与电阻分压采样,避免了反馈回路开关噪声引起的电路不稳定问题。在欠压锁定电路中加入电源毛刺检测电路以确保产生稳定可靠的欠压锁定信号。基于CSMC 0.18μm BCD工艺,完成了电路设计。仿真结果表明,供电电压上升时阈值电压为7.3 V、下降时阈值电压为5.8 V,迟滞量为1.5 V,避免了电路在阈值电压附近反复开启与关断。

摘要：目的设计一款应用于PWM控制器的带隙基准。方法前级的欠压锁定电路在电源电压上升到8.2V时才能开启,当电源电压下降到7.8V后级电路关断,既保证了整个电路的正常工作,又节省了电路的功耗。结果 CADENCE Spectre软件仿真结果表明:温度为25℃时,带隙基准输出电压为5.006 5V;在-55℃～125℃的温度变化范围内,基准的温度稳定性为0.17mV/℃;电源电压12V≤Vcc≤25V,基准输出的最大变化为0.233mV;基准输出电流1mA≤Io≤20mA,输出电压的最大变化为1.81mV;基准电路的输出短路电流为-105mA。结论版图基于华越微电子有限公司SB45V双极工艺流程和版图层次设计,流片测试结果证明本单元的设计满足要求。

摘要：传统的欠压锁定电路离不开外部电路提供的基准电压和偏置电流,同时当进入欠压锁定状态时,基准电路无法关断,不利于芯片的低功耗设计。针对传统电路的缺点,设计了一种不需要外部基准电压和偏置电流,并且电路结构简单、响应速度快、温度漂移低、阈值随PVT变化较小、功耗较低的欠压锁定电路。基于0.18μm BCD工艺对提出的电路进行了全面的仿真与测试验证,研究结果表明,当电源电压下降时,电路在电源电压小于2.05 V时系统关闭;当电源电压上升时,电路在电源电压大于2.37 V时系统重新启动,欠压保护迟滞量为320 mV,在-40~85℃范围内欠压锁定迟滞电压精度为1.36%,功耗仅为22μW。该电路已在一款Buck-Boost型转换器中得到应用。

摘要：针对电源控制芯片中常需用到的欠压锁定功能,提出一种新的欠压锁定电路的设计,采用高稳定基准电压源作为比较基准,成功综合了单门限比较器和迟滞比较器的优点,并改善了逻辑电路的设计,成功实现了电路的预定功能。SPECTRES模拟仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有启动电流小、响应速度快,温度漂移小等特点。

摘要：设计了一种高速低功耗的欠压锁定电路。在迟滞比较器的输出级采用轨对轨输入共源放大器电路,检测VUVLO由高电平跳变为低电平的过程,自适应地控制输出级的尾电流源大小,以减小输出建立时间,使得后级电路能够快速响应电源变化。基于华虹0.35μm BCD工艺进行设计与仿真,结果表明,在输出级的尾电流大小为1.3μA时,相比传统电路,该电路能减少30%的输出建立时间。这不仅降低了功耗,还提高了电路响应速度。

摘要：提出了一种新型的欠压锁定电路。该电路结构简单,可用于浮动电源轨,具有精确的迟滞特性,占用面积小,且与CMOS工艺完全兼容。采用0.6μm 16VCDMOS工艺进行仿真、流片验证。Hspice仿真结果表明,其锁定阈值精度高、功耗低。芯片测试结果表明,该电路可用于浮动电源,所测得的欠压锁定阈值与设计值相吻合。

摘要：传统多路通信电源欠压锁定电路存在结构复杂、响应速度差等缺陷。为精准控制多路通信电源欠压锁定电路,需设计一种新型多路通信电源欠压锁定电路,并采用数字控制方法控制多路通信电源欠压锁定电路。采用电流模控制技术,通过随电源电压呈现二次方曲线变化的自偏置电流调节新型多路通信电源欠压锁定电路上、下阈值门限电压,控制迟滞电压,改善电路响应速度;同时通过温度补偿方式降低新型电路基准电压温度敏感系数,使迟滞电压温度灵敏度较低,迟滞电压具有较高的稳定性和较小的漂移程度。经过实验分析发现,该方法控制下的多路通信电源欠压锁定电路电源电压在1.65 V/μs时,输出电压上升和下降时间是36 ns,控制电路能量消耗平均值为51.684μW,电路响应速度较快,能耗低。

摘要：针对电源管理芯片中的重要模块UVLO,在带隙基准电压源结构的基础上,引入了对带隙基准的高阶温度补偿功能,有效减小迟滞电压的漂移。同时,该UVLO电路不需要外部提供基准电压和偏置电流,提高了模块电路的可靠性,而且电路具有结构简单、功耗低、电压精确、温度敏感性低等优点。在BCD工艺下,采用Cadence的Spectre软件对电路进行仿真验证。仿真结果证明了所设计UVLO的可行性和正确性。