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一款高线性度正电压控制的压控衰减器: 收藏
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引用; 《电子设计工程》2022年第21期30卷 71-74,79页; 作者：许传栋苏郁秋董思源李光超周宏健中科芯集成电路有限公司江苏无锡214000; 针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)0.25μm工艺,设计了一款1~6 GHz正电压控制的高线性度微波单片压控衰减器(VCA)。该压控衰减器控制管芯选择电阻变化率更小的D-mode PHEMT晶体...; 针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)0.25μm工艺,设计了一款1~6 GHz正电压控制的高线性度微波单片压控衰减器(VCA)。该压控衰减器控制管芯选择电阻变化率更小的D-mode PHEMT晶体管,通过电压浮地技术和采用片上集成隔直电容的方式,对传统的T型衰减电路的拓扑结构进行改进,从而实现0~5 V的正电压控制和高线性度。芯片在片测试结果表明,基态插入损耗小于2.3 dB,端口输入、输出电压驻波比小于1.6∶1,压控衰减器的衰减动态范围为0~28 dB,芯片尺寸为1.75 mm×1.35 mm×0.1 mm。; 来源：详细信息评论

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