摘要：报道了用氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）ｐｉｎ二极管作光敏层，扭曲向列型液晶（ＴＮＬＣ）作电光调制层的光寻址空间光调制器（ＯＡＳＬＭ）的设计、制作与性能测试．结果表明制得的（ＯＡＳＬＭ）分辨率大于２０ｌｐ／ｍｍ；在３００ｌｕｘ白光写入时对比度高于２５：１；白光写入灵敏度约３ｌｕｘ。

摘要：叉指式背接触硅异质结(IBC-SHJ)太阳电池由于其优异的光学性能备受关注,但是较低的填充因子(FF)限制了其转换效率.本文中,我们用Silvaco TCAD软件模拟了IBC-SHJ太阳电池,发现p-n结和高低结收集载流子的能力有很大差异.高低结内建电场较弱,难以收集电子是FF较低的主要原因.因此,我们用氢化纳晶硅(nc-Si:H)薄膜来代替氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,并且在nc-Si:H薄膜表面覆盖一层超薄高掺杂层进一步提高了载流子传输效率,获得了高达85.3%的FF.此外,三层nc-Si:H薄膜还提高了工艺生产中对掺杂层厚度的容错性,这大大扩展了IBCSHJ太阳电池的工艺窗口.这项工作为解决IBC-SHJ太阳电池的电学问题提供了一条有效的途径,对工艺生产中IBC-SHJ太阳电池的设计具有指导意义.

摘要：本文以ＰＩＮＩＰ结构各区载流子速率方程为基础，综合考虑了各区的多种物理过程，在适当的近似条件下，给出一个完整的ＰＩＮＩＰ多色光电探测器电路模型．该模型的模型参数直接与各区的几何及电学参数相联系，对于器件的优化设计尤其方便．该模型可在开发ＯＥＩＣ电路模拟软件中采用，亦可加到现有电路模拟软件中．它可用于直流、交流、瞬态分析．

摘要：硅基薄膜电池主要包括氢化非晶硅电池、氢化微晶硅电池、多晶硅薄膜电池以及硅薄膜叠层电池。本文归纳了硅基薄膜材料和器件的微观结构、光学和电学特性,讨论了硅基薄膜电池性能的优化设计,并介绍了近期的研究进展情况,比如,氢化非晶硅抗反射涂层、晶粒为几个纳米的微晶硅材料、中间插入反射层的新型叠层电池结构以及具有高稳定性的多晶硅薄膜电池CSG。