摘要：提出了一种1.2kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT结构。通过采用和正面栅极工艺相同的沟槽刻蚀技术,在器件背面形成交替出现的氧化槽,氧化槽结构增大了RC-IGBT背部N^+ Collector和P^+ Collector之间的短路电阻,从而从根本上消除了传统结构的电压折回(Snapback)现象。为了不增加工艺难度,氧化槽的宽度和栅极的宽度完全一致。研究了氧化槽的深宽比对Snapback现象的影响规律,以及氧化槽之间N^+ Collector与P^+ Collector掺杂长度对器件特性的影响。结果表明,新结构的设计能完全消除Snapback现象,且相较传统结构,元胞尺寸减小了一半,并且器件恢复损耗降低了30%。

摘要：为了解决钢铁碱性氧化时零件表面红色挂灰的问题，设计了一种新型碱性氧化槽。新型碱性氧化槽在不改变常规钢铁碱性氧化工艺的基础上，采用新型的加热装置，有效地控制了Fe2O3·nH2O在槽中的存在状况，从而消除了氧化零件表面红色挂灰的产生。

摘要：提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS)。在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅。首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻。采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计。结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9%,击穿电压提高了82.4%。在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGTLDMOS的比导通电阻下降了35.4%。

摘要：细菌氧化在阿希金矿的应用存在严重的应用问题,设计的细菌氧化槽底部在实际应用中沉矿严重,个别槽沉积达到1m厚,氧气在氧化槽中的弥散效果差,矿浆含氧量远远低于设计值,细菌不能很好繁殖,严重制约黄铁矿的氧化,细菌氧化同行间相对保密,只能依靠自生力量,为生产服务。

摘要：介绍某厂铝件硫酸阳极氧化生产线制冷系统的节能改造情况。将氧化槽溶液由冷却水冷却改为直接冷却。

摘要：生物预氧化提金工艺是一项处理难浸含砷金矿的新技术，本文通过含砷金精矿生物预氧化工艺及设备设计的阐述，对生物预氧化提金工艺工业化应用做出尝试。

摘要：简要介绍了烟台市黄金冶炼厂生物氧化车间投产以来的生产情况。着重阐述了该车间有别于国外类似工厂的工艺和设备 ,认为其更适合中国国情。

摘要：氧化槽是热电厂烟气脱硫系统中的关键设备,通常采用钢制内衬防腐材料。保证该设备的防腐质量是使烟气脱硫系统长周期、稳定运行的重要因素,高质量防腐也是延长该设备使用寿命的保障。