摘要：少量的氧对材料性质的影响也是十分显著的,在非氧化物半导体中可以通过一定的实验设计引入氧[1]。在此,我们通过水热方法合成了一种氧掺杂的硫化钼,并在不同的温度下通过退火处理获得不同氧掺杂量的MoS_(x)O_(y)。在本工作中所获得的MoS_(x)O_(y)通过光谱分析可推测其获得了氧空位和氧结合。在SERS基底的应用中,新引入的氧空位和氧结合可能引起电荷转移共振增强以及激子共振,从而放大半导体基底-分析物-分子之间的之间的作用,实现半导体的SERS增强,为半导体在SERS基底上的应用提供了新的思路。

摘要：利用第一性原理计算研究了氟化物钙钛矿NaFeF3的基态电子态和磁构型,并模拟分析了衬底应力和阴离子置换对材料基本物性的影响.计算结果表明,NaFeF3块材的G-AFM磁基态十分稳定,不会受到衬底应力调控以及F位氧掺杂的影响.当低浓度掺杂(~8.3%)时,氧离子倾向于替换FeF2面内的F,形成非对称的Fe-O-Fe链,导致产生局域极化.此外,不对等的Fe—O键还会在氧离子两侧的Fe上形成电荷序,进而产生非零净磁矩.值得注意的是,该局域极化和亚铁磁性均源于不等位氧掺杂,因此有可能通过外电场调控实现极化翻转并同时改变净磁矩的方向实现电控磁.更高浓度的氧掺杂会使得Fe的化合价整体升高,Fe离子上的局部电荷序和净磁矩随之消失.该研究结果有望促进氟化物的理论和实验研究,并为多铁性材料的设计研发提供新的材料.

摘要：类石墨烯二维材料硅烯拥有与石墨烯(graphene)相似的性质.基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过计算模拟探讨了氧吸附对硅烯(silicene)纳米结构的性能影响.研究发现,氧吸附在硅烯后,硅烯在电子结构上改变了能带带隙,呈现半导体性质,对silicene单层纳米结构的实验研究具有理论指导意义和参考价值,同时在电子自旋器件的设计以及实践方面也具有潜在应用价值.