摘要：采用GPS(气压)-HIP(热等静压)后处理两步工艺制备氮化硅(Si_3N_4)陶瓷,GPS烧结后使试样表面气孔闭合,而后通过HIP后处理减少烧结体内部的气孔数量和减小内部气孔尺寸,弥合表面裂纹等,从而提高了试样的物理、机械性能等。

摘要：本文介绍了氮化硅陶瓷对氮化硅粉末烧结原料的特性要求，述评了SiO2还系氮化法，硅亚胺热分解法、高温气相反应法，激光气相反应法和等离子体气相反应法等五种氮化硅粉末的制备新技术。

摘要：综述了国内外氮化硅全陶瓷轴承的研究状况及应用前景 ,系统介绍了全陶瓷轴承的制备技术 。

摘要：使用气流磨粉碎的硅粉（Ｓｉ）（Ｓｉ９９．３％，Ｓｇ＝３．２ｍ２／ｓ）和氮气（Ｎ２）（纯度９９．９９９８％）为反应物，在１３００～１３６７℃下反应形成β－Ｓｉ３Ｎ４，其反应机理与动力学参数被研究。反应产物由ＸＲＤ进行定量分析，相形成的机理和它们的形态用扫描电镜（ＳＥＭ）确定。我们发现α相和β相的形成机理不同。β－Ｓｉ３Ｎ４在１３００℃的实验数据适合于界面化学反应控制的动力学模型．在１３３０～１３６７℃扩散控制通过产物层．扩散过程的活化能测得为６７０ＫＪ／ｍｏｌ。β－Ｓｉ３Ｎ４在整个温度范围（１３００～１３６７℃）内的形成可分为两个阶段．在反应开始到６０ｍｉｎ氮化，α－Ｓｉ３Ｎ４形成较迅速，这是第一阶段．这一阶段与Ｓｉ粉末表面的氧成分有关；第二阶段α－Ｓｉ３Ｎ４形成稍缓慢。在１３００℃和１３３０℃下α－Ｓｉ３Ｎ４的形成速度由Ｓｉ的蒸气压控制，而在１３６７℃则扩散通过产物层。

摘要：本文论述了气氛压力烧结技术(GPS)产生的技术背景,GPS烧结的原理和优越性,介绍了GPS烧结工艺的技术关键以及在材料制备中的实际应用。

摘要：以金属硅粉与氮气的反应动力学原理为基础 ,通过原料的处理制备与成形 ,并严格控制其工艺过程及反应历程 ,开发出性能优异、使用范围广泛的新型Si3N4工程陶瓷。

摘要：本文针对Si_3N_4基陶瓷材料作为高温结构材料使用的不同环境,首先讨论了Si_3N_4陶瓷在高温下的氧化,继而论述了Si_3N_4陶瓷在熔融盐(钠盐或钾盐)中的腐蚀研究现状。文中最后指出了腐蚀研究中存在的问题,提出了今后应进行的研究方向。

摘要：高温透波材料在航空航天飞行器的天线罩上有着广泛应用,随着激光武器的发展,对天线罩的激光防护性能提出了更高的要求。碳化硅陶瓷材料凭借其优异的机械性能和介电性能,已经成为透波材料的研究热点。本文针对碳化硅陶瓷的激光防护需求,对其表面进行微结构设计以及镀膜处理,通过增强激光发射,提高了抗激光损伤的能力。通过设计加工出微棱镜结构,增强材料对入射光的散射,模拟结果显示不同角度的入射光均从各个方向被反射,减少了陶瓷基体对激光的吸收。实验中采用二氧化钛对陶瓷表面镀膜,大幅提高了材料对于532 nm波长激光的反射能力,反射率从不到10%提升到70%以上。

摘要：本文详细介绍了晶界工程(GBE)技术及其在Si_3N_4材料上的应用。着重就晶界工程在改善Si_3N_4材料高温性能方面所采取的几种具体措施进行了论述。

摘要：采用高速搅拌、超声分散的湿法混合工艺制备出无规则取向ZrO2短纤维热压Si3N1陶瓷复合材料。对复合材料的强度及韧性进行了研究，采用TEM技术对材料的微观结构进行了分析。