摘要：日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是继最近140瓦特RF3934推出之后的续推产品,RF3934是RFMD的UPT系列中输出功率最高的器件。RFMD计划在2011年第一季度推出第三个氮化镓UPT器件,以扩大其氮化镓功率晶体管系列。

摘要：为提升同步整流型Boost拓扑在轻载条件下的效率,采用变频准方波模式(QSW-ZVS)代替恒频三角波模式(TCM)。借助氮化镓(GaN)器件,可进一步提高变换器的工作频率,提升功率密度。为确保高频工况下的软开关实现,对QSW-ZVS模式下的软开关过程进行精确数学建模。在此基础上,指出延长同步整流的时间可扩大软开关的实现范围,这有助于提高变换器在高频QSW-ZVS模式下的效率。最后,搭建一台额定功率为500 W的实验样机,通过实现其QSW-ZVS模式下的软开关,峰值效率达到98.2%,实现了高频高效的设计目标,验证了理论分析的准确性和正确性。

摘要：利用可见光信号作为新型信息载体的光通信技术近些年来得到长足发展,为了开发新一代光子集成芯片作为可见光通信网络的终端器件,满足可见光信号发射、接收、传输与处理的复合需求,该文基于硅基InGaN/GaN多量子阱材料,设计了一种集成可见光波段微型发光二极管(LED)光源、波导定向耦合器、微型光电探测器于一体的光子集成芯片。该芯片利用InGaN/GaN多量子阱材料的发光探测共存现象,实现了上述复合功能。微型LED光源作为发射端,可以发射出蓝色波段的可见光信号,其发光强度受到注入电流的线性调制,可实现调幅可见光通信,适合作为可见光通信的发射端。微型LED光源发射的可见光信号传输进入波导定向耦合器,实现了片内有效传输耦合和光功率平均分配。经过耦合传输的可见光信号进入微型光电探测器,可以监测到与耦合传输的光信号强度相匹配的光电流。最后,可见光通信测试也表明该芯片可实现有效的可见光通信。该研究为发展面向可见光通信网络需求的复合功能光子集成芯片终端提供了更多可能性。

摘要：为实现太阳能飞行器能源系统的高效率和高功率密度,采用基于氮化镓(GaN)器件的四开关升降压(FSBB)变换器。首先提出一种变移相角控制策略,该控制策略可根据不同的输入电压范围,通过改变移相角来使电感电流纹波始终维持在此时工况下的最小值,同时保证电感以最小电流进行环流并兼顾软开关技术,进一步提高变换器的工作效率。然后对所提控制策略下的变换器进行建模,分析其稳定性,并通过对控制参数进行整定,完成变换器补偿网络的环路设计。最后搭建一台输入30~60 V,输出45 V/200 W的GaN FSBB变换器实验样机,验证变移相角控制策略的有效性。

摘要：倍思科技旗下的新生活数码品牌倍思创立11年来,在以氮化镓充电产品为主的充电类、音频类、创新电子类产品领域取得了很强的市场竞争力与品牌认可度。倍思以用户为主中心的核心理念,基于场景进行产品创新的发展路径,以及实用而美的设计美学,是其设计方面的主要特点。倍思以“持续成为人们新生活方式的首选品牌”为愿景,基于技术优势与设计优势,在应用场景以及产品品类上不断创新。它的设计理念、设计管理与品牌发展历程,对业界颇有启发。本文基于对倍思联合创始人、产品设计团队的设计负责人陈林松的访谈以及相关材料撰写而成。

摘要：HMC7885和HMC7748宽带模块针对2～6GHz频率范围的应用，包括测试和测量、通信、替代行波管、航空监控、雷达等应用领域。这些完全集成的全固态器件扩展了ADI公司现有的GaN功率放大器系列，使用方便，可以加快原型开发和系统设计。

摘要：QPD2731有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）解决方案在单个封装中采用两个晶体管，可最大限度提高线性度、效率和增益，并最终降低运营成本。

摘要：提出了一种适用于高压高功率GaN功率放大器的漏极调制电路。采用高压自举驱动电路并增加泄放开关管的方式以减小上升时间和下降时间。基于对寄生参数影响的分析及计算,提出了并联加电线的措施。此外,定量计算了提供脉冲大电流所需的储能电容容值。为了确保功率放大器的安全运行,提出了死区控制电路及时序控制电路。搭建了一台实验样机验证所提漏极调制电路设计的有效性,实验结果表明该样机的上升时间和下降时间均小于100 ns。

摘要：基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺,设计了一款工作在1.8 GHz/2.3 GHz的大功率双频带非对称Doherty功率放大器。采用改进型的双频匹配网络结合双阻抗匹配的方法进行输出匹配电路设计,降低了传输线参数计算的复杂度,节省了电路的设计面积。实测结果表明,功放在两个频段内饱和输出功率分别为55.6 dBm和55.4 dBm,饱和漏极效率分别高于67%和66%。功率回退8 dB时,漏极效率分别为56%与53%。同时,在2.05 GHz附近的输出功率与漏极效率远低于两个工作频段,使功率放大器实现了较好的带间隔离性,满足了移动通信系统双频段工作的需求。

摘要：IR推出商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓（GaN）功率器件技术平台。iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点（POL）应用设计的，包括服务器、路由器、交换机，以及通用POLDC／DC转换器。