摘要：本文介绍一种基于氮化镓芯片设计的数字D类功放电路。通过使用开关速度快、寄生参数小、电气性能优越的氮化镓作为功率器件,设计一个数字D类功放电路,放大信号功率,用于检测轨道上是否有列车占用的信息。实验结果表明,高频载波通过功放器将信号功率放大,再通过LC低通滤波,输出低频解调信号,实测解调信号失真度小于-60d B,验证了该数字D类功放电路设计的可行性。

摘要：介绍了一个基于氮化镓器件组成PFC及LLC高效电源驱动电路。PFC采用NCL2801控制芯片,LLC电路控制芯片采用NCP13992,开关管采用第三代GaN器件NV1165。LLC副边采用同步整流电路控制芯片SRK2001,并给出LLC电源的设计过程。电源输出功率200 W时,其效率效率达到95.5%,功率因素达到0.9857。

摘要：随着科技的发展,集成电路封装的形式和材料面临着巨大挑战。氮化镓(GaN)作为最具潜力的第三代半导体材料,在射频通信领域的应用前景广阔。传统的金属或陶瓷GaN封装制造成本高、工艺复杂、品质控制难,开发环氧树脂封装的GaN射频器件,使之具备高散热性和高可靠性,实现进口产品的同类替代,是当前我国集成电路封测产业的一项重要任务。以一款GaN功率器件双边扁平无引脚封装(Dual Flat Nolead,DFN)为例,介绍GaN器件的封装结构设计、塑封材料选择、封装工艺优化以及封测中常见的问题分析与解决等内容。

摘要：近期,苹果“爆料大神”郭明錤透露,苹果可能年某个时候推出下一款氮化镓充电器,最高支持30W快充,同时采用新的外观设计。与三星、小米、OPPO等厂商积极发力氮化镓快充产品相比,苹果在充电功率方面一直较为“保守”。去年10月,伴随新款MacBook Pro的发布,苹果推出了140W USB-C电源适配器,这是苹果首款采用氮化镓材料的充电器,售价729元。如今,苹果有望持续加码氮化镓充电器,氮化镓功率半导体市场有望迎来高歌猛进式发展。

摘要：传统的降压型功率因数校正(power factor correction,PFC)变换器由于存在高谐波电流的缺点,较难满足IEC61000-3-2 C类限值,其应用受到很大限制。文中设计并搭建了一种集成式功率因数校正变换器,该变换器由一个降压PFC变换器和一个反激PFC变换器组成,其中降压和反激PFC变换器采用输入并联和输出并联连接方式共用一个GaN开关管和控制电路,降低变换器成本。集成式变换器在临界导通模式(critical conduction mode,CRM)恒定导通时间(constant on time,COT)控制下,反激单元消除了降压输入电流死区的影响,利用降压和反激PFC变换器的优势和GaN开关管的优异性能,变换器可以在宽电压输入范围下实现高效率和低总谐波失真。文中介绍了电路结构和工作原理,通过PSIM(power simulation)仿真验证理论推导的正确性,最后搭建了满载效率为94.1%的120 W样机,验证了该方案的可行性。

摘要：5G时代的到来对电源系统提出了更高的要求,即要求变换器具有高效率、高功率密度以及快速动态响应。针对该问题,使用第三代宽禁带半导体器件氮化镓(GaN)晶体管,优化变压器结构,采用新型分数匝结构,通过DSP数字控制方法设计一款400 V转12 V、输出功率为500 W的高效率、高功率密度LLC谐振变换器。通过理论分析高频状态下实际LLC电路参数影响,确定系统优化方向,并结合有限元仿真软件改进分数匝变压器结构,最后搭建实物平台验证理论的可行性。

摘要：有源箝位正激变换器因为开关管的软开关控制,可以降低高频下的开关损耗,已是中型功率隔离变换器实现高效率、高功率密度的主流解决方案。文中基于有源箝位正激变换器设计一款输入28 V、输出3.3 V/30 A的电源样机,开关频率为700 kHz,原边主开关管采用低栅极电荷、低输出电容、零反向恢复损耗的氮化镓(GaN)器件,再结合平面变压器技术及次级同步整流(SR)技术,使样机峰值效率达到95.13%。最后通过对样机测试结果分析来验证方案的高效率和高功率密度。

摘要：离子敏感场效应管是应用于离子浓度测量的一种器件,它的性质与金属氧化物场效应晶体管相似,最大的区别在于它可以直接用于电解质溶液中的离子浓度变化测量。该器件结构简单,操作方便,便于大规模生产使用。目前使用最广泛的是基于H+浓度的p H值测量器件,文章分析其结构并详细计算其工作原理,最后结合电解质溶液相关性质进行仿真建模。为提高器件的工作性能,文章采用不同材料进行离子敏感场效应管的设计。结果显示相比于硅材料器件,采用氮化镓材料设计的器件在工作精度与离子浓度敏感度2个方面都有较大提升。

摘要：珠海镓未来科技有限公司(简称“镓未来”)是专注于第三代半导体GaN-on-Si器件技术创新研发与应用的高端氮化镓功率器件设计制造商,由IEEE Fellow(国际电气电子工程师协会会士)吴毅锋博士领衔,仅用两年多的时间就发展壮大,凭借优势技术和国际化团队,从消费类产品起步,迅速攻占了工业市场,得到了客户及投资人的认可。

摘要：使用铟(In)掺杂氮化镓(GaN)可以调制其许多性质,从而使其广泛地应用于各种领域。在应用过程中,材料的热导率是至关重要的性质,直接关系到器件的稳定性,因此对In掺杂GaN的热导率进行研究是十分必要的。本文使用第一性原理方法求解玻尔兹曼输运方程研究了In掺杂对GaN热导率的影响,结果表明掺入In之后,GaN的热导率明显降低,且其光学声子分支和声学声子分支对热导率的变化也发生了一定的改变。研究结果可以为GaN基半导体器件的设计提供理论指导。