摘要：近日,全球知名的半导体厂商英飞凌科技股份公司推出了氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN 600V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaNEiceDRIVER^TM IC)。据悉,英飞凌产品的优越性包括:它们具备更高功率密度,可实现更加小巧、轻便的设计,从而降低系统总成本和运行成本,以及减少资本支出。

摘要：基于满足目前高效复杂的调制技术对功率放大器线性化度越来越高的需求的目的,采用模拟预失真技术设计了一种线性化器,用来改善Ka频段氮化镓(GaN)固态功率放大器的非线性化失真;通过改进传统的并联式二极管预失真电路,采用开环技术,将两个肖特基二极管并联;改变二极管的偏置状态,得到不同的改善程度的预失真信号;结合使用专用电磁仿真软件ADS2013做电路仿真,通过参数扫描得到二极管偏置状态的初始值,为实物调试提供理论基础;通过对已加工的实物测试,结果表明:增益幅度补偿达到6.4dB,相位补偿达到28°。

摘要：文章介绍了一种适用于无线基站RRU氮化镓功放的保护策略。该策略分析了无线基站系统的组成架构,氮化镓功放的优势以及关键易损点和相关原因,详细描述了氮化镓功放电源保护策略的主体设计框架。

摘要：EPC2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案一推动48 V转至12 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 A输出电流时实现高达接近98%效率,以及推动48 V转至1 V并在300 kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在14 A输出电流时实现84%效率。宜普电源转换公司宣布推出80

摘要：科技部发布“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度项目申报指南(征求意见稿),其中涉及到氮化镓的有多个项目。面向大数据中心应用的GaN基高效功率电子材料与器件(共性关键技术)研究内容:研究大尺寸Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的大失配外延生长和缺陷/应力控制技术;研究材料中点缺陷、杂质对器件性能的影响规律及其表征方法;研究器件阈值电压漂移机制及栅压摆幅提升技术;研究高耐压、低导通电阻及高可靠性器件设计与产业化制备技术;研究GaN基高压桥式电路及其驱动电路集成技术;研究电压/电流振荡抑制技术和电磁干扰改善技术以及高转化效率电路拓扑,推动GaN基高效功率电子材料与器件在数据中心服务器领域的应用。

摘要：IQE公司近期宣布已推出商用100mm碳化硅基氮化镓外延圆片,用其生产的新型晶体管器件具有突破性水平的高增益和高功率密度。首次实现单片微波集成电路(MMIC)设计在0-40G范围内的高压/高功率宽带条件下高效运行。器件在高达40GHz的高频率微波条件(即Ka波段)下的运行能力对于卫星通信应用十分关键,并且对5G无线通信变得愈发重要。

摘要：2019年9月30日讯-深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司9汽车(EV)提高行驶里程和实现更快充电时间,同时还将减轻重量、节约空间、降低成本。科锐碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)最初将用于德尔福科技为某一全球顶级汽车制造商设计的800V电控逆变器。计划量产时间为2022年。德尔福科技首席执行官Richard F.(Rick)Dauch表示:“德尔福科技致力于为汽车制造商提供开拓性的解决方案。汽车制造商们正在努力满足日趋严格的全球排放法规要求和消费者对于电动汽车(EV)的期待。我们与科锐的合作,将为汽车制造商们创造显著的效益。消除驾驶员对于电动汽车(EV)行驶里程、充电时间和成本等方面的忧虑,为整个行业带来好处。”

摘要：氮化镓(GaN)材料具有宽禁带宽度、高击穿场强等综合优势,通过对比氮化镓晶体管和硅功率器件参数,说明了氮化镓器件在工作频率和电路效率方面的优势。使用氮化镓晶体管替代硅基功率器件,设计了一款带有同步整流的BUCK变换器。测试结果显示:电路可以在较高的频率下工作,缩小了滤波电路的体积,在轻载时电路进入脉冲跳跃模式,结合氮化镓晶体管在效率方面的优势,电路整体效率均保持在较高水平。

摘要：Qorvo发布了一系列输入匹配并以低成本的塑料外壳封装的氮化镓晶体管,预期为商用和军用雷达以及无线电通信系统节约成本。"Qorvo公司的输入匹配的晶体管能在频段内实现功率和效率的优化,使射频系统具备更大的灵活性,并简化基板的设计,这些特性引起了市场的关注。"Qorvo基础设施和防御国防产品部的负责人James Klein表示:"通过扩大采用低成本塑封的氮化镓晶体管的产品阵容,包括改进使用低成本的塑料封装,Qorvo一直致力于为客户提供高效率、高性价比、可升级的氮化镓解决方案。"

摘要：本文介绍了一种C波段前端T/R组件的电路原理设计和实现。氮化镓功率放大器件的应用有效提高了组件效率,减小组件的体积,具有更高的热稳定性;微带传输线的应用进一步减小组件的体积,并获取较高的隔离度和方向性。