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应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究
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《物理学报》2013年 第12期62卷 430-436页
作者：王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 宋建军 周春宇 李妤晨西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 
由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的影响严重.本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V特性中台阶形成机理的基础上,通过求解...
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