摘要：通过数值计算表明了在空间浮区法晶体生长中利用非均匀磁场抑制自由面附近流体运动 ,这种局部作用来均匀减弱整体流场的有效性 ,及通过设计一定的磁场位形以达到减弱熔体流动的同时 ,提高杂质浓度沿生长界面分布均匀性的可能性 。

摘要：在微重力条件下用浮区结晶法生长半导体单晶硅独具优势 ,但自由界面的温度梯度所诱发的热毛细对流对晶体质量的影响却更为突出。文中提出一种抑制热毛细对流的新方法———表面截割法 ,即通过适当改变自由表面的状况来抑制热毛细对流 ;在建立了半浮区 (液桥 )热毛细对流的数学模型的基础上 ,利用有限元法对不同截割方式下的流场、温度场做了数值模拟分析。结果表明 ,表面截割对浮区内的热毛细对流有很好的抑制作用 ,适当增加截割次数 ,可使热毛细对流削弱 70 %以上。