摘要：作为神经形态视觉感知系统的基本单元,光电突触需实现光敏和突触双重功能.本文基于TSMC 180 nm标准CMOS工艺提出了一种由两个PMOS晶体管构建的光电浮栅突触结构,并利用浮栅电压表征突触权重.其中,一个PMOS管工作在光电混合模式,在光信号和电信号的刺激下,突触的浮栅电压分别呈现增加和降低特性,以此实现突触的兴奋性和抑制性功能;另一个PMOS管工作在隧穿模式,并通过Fowler-Nordheim(FN)隧穿机制修正突触权重.基于光电浮栅突触的电路模型,设计了用于像素识别的单元电路,搭建了3×3的像素阵列,并分析了无噪声和有噪声两种情形下的二值图像“+”识别.仿真结果表明,在基础光强为0 mW/cm^(2)和75 mW/cm^(2)的无噪情形和引入0.5 mW/cm^(2)噪声的有噪情形下,所设计的光电浮栅突触均可实现二值图像识别,并具有一定的抗噪声能力.

摘要：利用输入跨导恒定技术设计了一种新的满幅运算放大器。该放大器利用浮栅差分对和负反馈电路作为输入级,将共模电平钳位在某一确定值,以保持输入跨导恒定。结合中间级、输出级的设计形成一个输入和输出均达到满幅度要求的整体运放结构。选用0.35μmCMOS工艺,对输入级和rail-to-rail运算放大器进行仿真分析。测试结果显示,这种电路新结构有利于拓展共模输入范围,有效地抑制了输入级的跨导变化,当±1.5V电源供电情况下,共模变化范围为±2.5V时,跨导仅有0.7%的波动。

摘要：提取浮栅器件栅耦合率的方法一般都是针对不可忽略的沟道耦合现象进行修正。对这些方法进行了比较、分析发现,对于短沟道浮栅器件,会由于参考器件存在明显的DIBL/SIBL效应,使提取的源、漏耦合系数偏大产生了很大的误差。提出了一种对亚阈值斜率法提取浮栅器件栅耦合系数的修正方法,结合了DIBL/SIBL效应因子,基于亚阈值斜率之比来较简单地实现更精确的近似,得到的栅耦合系数与设计值吻合较好,误差在2%以内,表明此修正法是合理且精确的。

摘要：最近，上海复旦大学微电子学院张卫教授带领的科研团队，成功研制出半浮栅晶体管（Semi—Floatina—Gate Transistor，SFGT），有望让电子芯片的性能实现突破性提升。该成果发表在今年8月9日的《科学》杂志上．这也是我国科学家在《科学》上发表的首篇有关微电子器件的研究论文。

摘要：为改进可编程式静电场效应晶体管,设计一款具有方筒型栅和控浮栅的新型器件。设计通过方筒型栅的环栅结构产生带带隧穿大电流作为正向导通电流,采用金属作为电极与硅体形成高肖特基势垒从而极大降低热激发电流。硅体上方的方筒型栅极向浮栅传输电荷充电,在结构上减少一个电极。充入的浮栅电荷针对N型和P型工作态都有助于降低反向漏电流,实现更低的亚阈值摆幅和反向泄露电流,以及更高的正向导通电流和开关电流比,使器件功耗大为降低。结构具有源漏对称可互换性,能够更好兼容MOSFET。

摘要：为解决当前主流晶体管MOSFET的反向泄漏电流较大的问题,并对传统FINFET做进一步优化,提出一种源漏缓冲浮栅型的具有较低漏电的场效应晶体管。所设计出的双向开关装置具有低静态功耗和低反向泄漏电流,只需一个独立外部供电的栅电极就可控制器件的导通、关断和浮栅擦写功能。通过改变器件中浮栅注入的电荷类型以及半导体中的掺杂浓度,即可使器件工作在不同的模式下,还可使整个器件拥有更低的反向漏电流和更高的正向导通电流。整体结构相互对称,源漏可以互换,因此具有更好的兼容性。

摘要：由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。该成果的研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。

摘要：8月9日，由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。该成果的研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。

摘要：2013年8月9日，由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。该成果的研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。

摘要：为了进一步提高电磁超声相控阵激励源的工作效率,基于半桥拓扑放大结构提出了一种电磁超声相控阵激励源高频隔离驱动电路的设计方法.根据金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)的简化模型,分析了MOSFET在开通和关断过程中的开关损耗,从而给出了高频隔离驱动电路所必须满足的条件.通过采用光纤器件隔离脉冲信号和DC-DC隔离电源对参考电位进行转换,有效解决了驱动电路的高频"浮栅"问题,并利用RC微分电路和施密特反相器设计了驱动信号死区时间可调电路.实验结果表明:设计的驱动电路能够输出频率为1.1 MHz、死区时间为0.32μs、驱动电压为18.8 V、占空比为26%的互补驱动信号,并且在驱动MOSFET栅极的实际应用中,有效降低了功率开关管的功率损耗.