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检索条件"主题词=浮栅型场效应晶体管"
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一种含浮栅的肖特基场效应晶体管特性研究
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《微处理机》2025年 第1期46卷 20-23页
作者：王继祥 靳晓诗 任国琛沈阳工业大学信息科学与工程学院沈阳110870 
本文提出一种源漏浮栅型场效应晶体管,针对传统PN结型器件在纳米尺度下结变陡的问题,采用金属-本征硅接触形成肖特基势垒,并在器件内部设计可充电的编程浮栅。研究表明,在N型工作模式下,当控制栅加正向电压且浮栅充入正电荷时,可增强栅...
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