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检索条件"主题词=深亚微米电路"
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一个用于深亚微米电路模拟的MOSFET解析模型
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《Journal of Semiconductors》1999年 第2期20卷 113-121页
作者：张文良 田立林 杨之廉清华大学微电子所 
本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应．模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可以保证无穷阶连续．不仅适用于数字电路，而且可用于模拟电路的设计．模型计算的结果...
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