摘要：在研究高速数/模转换器静态和动态性能的基础上,设计了一种5V,14位高速分段式电流舵数/模转换器.设计的5 4 5温度计编码电路和新型对称开关序列,使数/模转换器的积分线性误差和微分线性误差最小.提出的新型开关电流驱动电路提高了数/模转换器的动态性能.基于TSMC0 35μm混合信号CMOS工艺,采用Hspice仿真工具,对14位数/模转换器进行了时域和频域仿真,在50Ω负载条件下满量程电流可达20mA;当采样速率为125MHz时,5V电源的满量程条件下功耗为270mW;输出频率为100MHz条件下的无杂波动态范围为72dBc.14位数/模转换器的积分线性误差为±1.5最低有效位,微分线性误差为±0 75最低有效位.

摘要：文章介绍一种 14位、5 0Msample/s的电流驱动型CMOSDAC .该电路的核心由 31个温度计编码的高 5位电流源、15个温度计编码的中间 4位电流源和 5个二进制编码的低 5位电流源构成 .为了达到更高的静态线性度 ,一种新颖的电流自校准技术被提出 ,用来对最高 5位的电流源进行自校准 .这种自校准完全是在后台操作的 ,并不需要一个替代电流源去替代正在被校准的那一路电流源 .该芯片采用 0 .2 5 μm标准CMOS工艺制造 ,芯片面积为 3 5 4mm2 .测试结果显示芯片的静态分辨率达到

摘要：该文提出了一种粗分电流源加细分电流源的分段结构10 bit电流舵斜坡发生器。电路主要由电流源及开关电路、输出电路和校准电路构成。粗分电流源采用高6 bit温度计编码,细分电流源采用低4 bit二进制编码实现,单位电流源采用共源共栅结构。采用UMC0.18μm CMOS工艺对电路进行设计并仿真验证。验证结果表明,前仿真DNL为-0.012~+0.095 LSB,INL为-0.012~+0.008 LSB,后仿真DNL和INL分别为-0.005~+0.135 LSB,-0.045~+0.115 LSB,表明斜坡发生器线性度良好,满足系统要求。

摘要：介绍了高速电流舵DAC的结构及其在高速、高精度DAC电路设计方面的应用。

摘要：在研究高速D/A转换器的基础上,设计了一种5V10bit高速分段式温度计码D/A转换器.设计的5-1-4温度计译码电路以及对版图布局的优化,使得DAC的DNL和INL最小,该电路的核心由三段式温度计编码控制的47个电流源构成.基于上华0.5μm工艺,采用HSPICE仿真工具对其进行仿真,得到在200MHz的采样频率下对50Ω负载满量程输出为45mA,非线性误差为DNL<0.5LSB,INL<0.75LSB.

摘要：针对ADC中功耗、精度与成本之间相互制约的问题,提出一种应用于12 bitSARADC的混合电容电阻型(C-R)DAC结构。高6位采用温度计编码的电容阵列结构;低6位选择电阻阵列结构。对电路进行非线性分析选取合理的元件尺寸。另外,采用非交叠时钟电路作为开关控制时序,避免开关切换时引起瞬态毛刺导致电容电荷泄露。基于GSMC 95 nm工艺,完成电路、版图设计与仿真,并完成流片测试,DAC版图总面积为317.2μm×262.5μm,流片测试结果表明,DNL的范围为-0.38~+0.44 LSB,INL的范围为-0.73~+0.4 LSB,满足12位ADC的设计要求。