摘要：用模拟等效电路，源极有恒流源电路分析高频下，ＭＯＳＦＥＴ源极跟随器的极间电容、寄生电容引起的一些特殊效应．为宽带ＭＯＳＦＥＴ源极跟随器的设计提供理论依据．若将宽带跟随器作为电子仪器输入级，可居同类跟随器输入级的先进水平．

摘要：提出一种适用于红外焦平面阵列传感器的高精度BiCMOS电压基准和电流基准设计方案。该方案采用新型电压基准输出级降低Brokaw带隙基准源中的厄尔利效应使电流镜电流完全匹配,同时减小电压基准的输出阻抗;接着利用共源共栅结构的偏置电流提高带隙基准的电源抑制PSR(Power Supply Rejection)特性;最后通过4个MOSFET管将基准电压和电阻电压钳制相等,进而得到一个高精度、低温度系数的电流基准;而以单个二极管连接的MOSFET作为电流基准启动电路的方式,可更进一步降低电路复杂性。系统采用CSMC 0.5μm BiCMOS工艺,利用Cadence Spectre工具对电路进行仿真。结果表明,在电源电压5 V,-40℃到125℃温度范围内,基准电压和基准电流的温度系数分别为13×10-6/℃和31×10-6/℃,输出电流波动低于0.5%,整体电路的PSR为-86.83 dB,解决了恒定跨导基准源精度低的缺陷,符合红外焦平面阵列对基准源高精度、高PSR和低功耗的要求。

摘要：设计了一种快速瞬态响应LDO。采用缓冲级结构的增强电路,使功率器件在负载瞬态变化时,栅极能够及时响应,从而避免了较大的电压上冲与下冲。加入缓冲级电路以后,系统的稳定性变差,采用密勒补偿和前馈补偿对其进行频率补偿,增加系统的相位裕度,使系统稳定。采用CSMC 0.5μm工艺,利用Cadence工具完成了整体电路的设计、前仿真、物理版图设计和后仿真,并进行了流片。测试结果表明,设计的LDO输出电压为2.5V,负载电流在10mA和300mA之间变化时,电压最大变化48mV,响应时间为12.4μs。

摘要：采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于高速ADC的采样保持电路。运用大信号建模分析方法,针对采样保持电路中的缓冲器,引入一个PMOS管构成类Cascode结构,以消除二级效应对线性度的影响。同时,增加了一条低阈值NMOS管构成的电流通路来减小整个电路的寄生电容,进而提高缓冲器的线性度。仿真结果表明,该采样保持电路在1GHz采样频率以内均可达到9位以上的有效位数。当采样频率为500 MHz时,该电路的SFDR为79.76dB,ENOB为12.02bit,THD为-85.33dB,功耗约为26.8mW。

摘要：CD机、便携式数字播放器往往不能充分发挥耳机的实力。本文介绍的耳机放大器以重现与音箱重放的声场相同为目标而设计，在减少高频噪声和提高相位特性方面采取了相关措施。放大器部分在音量电位器之后由源极跟随器、对称的两级电压放大电路和SEPP输出级组成，放大电路为无反馈型，最大输出功率2W，1W输出时的失真率在1％以下。该放大器提高了微小超低频成分的再现能力，再现的频率范围更宽，音色更自然。

摘要：设计用于USB Hub的接收器电路。该电路应用两级差动放大增加电路增益,利用源极跟随器作为电压缓冲器以减少信号电平损失。电路经过CSMC0.6umN阱CMOS工艺设计验证,完全符合USB1.1的协议规范。该设计已用于USB Hub芯片中。