摘要：本文介绍的是一种制作容易,操作使用方便的全场效应管直流耦合功率放大器。该放大器的输出级采用漏极跟随器电路,并从输出端向激励级源极加有负反馈。所以就功率放大器而言加有两重负反馈。该放大器的声音细腻丰润、强劲有力。一、设计思想该机是依照制作容易、使用方便、操作简单的原则设计的。在功能方面首先将该放大器设计成一种增益可调式功率放大器。在采用全场效应管功率放大器的基础上,增加了控制放大量的功能。使放大器的应用范围更加广泛。其次是为放大器设置了两个输入端,可通过开关进行切换。这两个输入端一个是直接输入(声音输入)端、另一个是具有电平调节功能的输入(调谐输入)端。

摘要：摘要：基于TSMC 90nm CMOS工艺设计了一款18～100GHz的超宽带无源漏极混频器，混频器采用了均匀分布式结构，通过牺牲延迟来获得超宽带带宽。同时，提出了一种栅极电压优化技术，通过优化偏置电压Vcs来最小化CMOS混频器的传输损耗。混频器带宽为18—100GHz，带宽内变频损耗为（4±1）dB，端口隔离度优于15dB，45GHz处1dB压缩点输入功率为4dBm，芯片面积仅为0．36mm^2该混频器在低功耗的环境下具有良好的变频损耗性能，非常适合用在低功耗的通信系统当中。

摘要：TI公司的TLC6A598是单片高压大电流8位移位寄存器,设计用于需要相对高负载功率如LED的系统.器件包含在输出内置电压钳位,用于感性瞬态保护.功率驱动器应用包括继电器,电磁阀和其它大电流或高电压负载.每个开路漏极DMOS晶体管具有单独的斩波电流限制电路,以防止在短路情况下出现的危险.器件有一个8位串联进并行出的移位寄存器,给8位D型存储存储器提供信息输出是低边开路漏极DMOS晶体管,输出电压50V和连续沉电流350m A.

摘要：分析了结型场效应管压控增益放大器的电路原理 ,并阐明了其电路的特性和实用价值 ,为集成电路设计提供了理论依据。

摘要：本文介绍一款制作容易、音质好的功率放大器。该放大器既可以用作立体声功率放大器也可以用作BTL放大器或者3D放大器。用作立体声功放时输出功率为2×70W/8Ω,用作BTL放大器时输出功率为200W/8Ω。放大器质量的好坏不仅与放大器自身的电路有关,而且与电源也有很大的关系。如果电源电路不好,即使放大电路质量再好也无法获得满意的放音效果。所以在设计电路时不可重此轻彼,必须同等对待。该放大器之所以选用晶体管放大器是考虑到晶体管放大器比真空(电子)管放大器具有更大的自由度。真空管须更换时必须使用型号完全相同的管子,而晶体管则不然,无论是晶体三极管还是场效应管,只要它们的各项参数大体相同,就可以互换不会出现什么大问题。

摘要：全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道Direct FETMOSFET。全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20 V和30 V器件,最高栅极驱动从12Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。