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瞬态闭锁试验在0.13μm大规模集成电路中引起的潜在损伤
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《原子能科学技术》2019年 第12期53卷 2498-2503页
作者：杜川华 赵洪超 邓燕中国工程物理研究院电子工程研究所 
瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种:闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.13μm体硅CMOS处理器为对象,研究了瞬态剂量率和稳态电离总...
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