摘要：高功率880nm激光芯片的结构设计,均采用大光学腔和小于0.62cm-1的低内损,并通过MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)工艺实现这种结构的外延。通过一系列标准和特殊制造工艺,实现了200μm发射器宽度和4mm腔长激光芯片。在P面朝下贴装在AlN陶瓷基板上后,测试880nm激光器的阈值电流为1.1A,斜率效率为1.11W/A,中心工作波长为11A时为880.8nm,光谱半高宽(FWHM)为2.2nm。在16A的连续电流和20°C的冷却水温下进行加速老化试验,老化时间达到2000h时无故障。根据ISO/FDIS 17526的Arrhenius模型,MTTF(Mean time to failure)计算为20万小时。

摘要：为探究液态金属相变材料的适用范围,本文使用数值模拟手段,比较分析了以镓为代表的低熔点金属与以正十八烷为代表的石蜡类相变材料之间的传热性能。结果表明,镓更适用于应对瞬时高热流冲击,即高热流、短时间工作的电子设备散热;而正十八烷适用于低热流、较长时间工作的电子设备控温。此外,单位体积相变材料,镓模块的热控时间长于正十八烷模块;单位质量相变材料,镓模块在短时间内占优,长时间内正十八烷模块占优。针对潜在应用场景进行分析,表明了液态金属相变材料可用于航天天线TR组件和激光器芯片控温。

摘要：针对激光火工品系统小型化发展需求,提出了一种基于激光芯片的内嵌小型激光源火工品。以CM封装的激光芯片作为小型激光源,针对激光源设计了4种换能元,通过光路仿真确定了最优的换能元结构及参数;基于仿真设计了激光源、换能元、火工药剂一体化结构的火工品,并对其输出性能进行了试验验证。结果表明:内嵌小型激光源输出功率与供电电流基本呈线性,最大输出功率为5W;焦距为3.2mm的半球形透镜换能元输出激光功率密度最高、光轴最短,为最合适的换能元结构;内嵌小型激光源火工品作用时间在24.0~32.6μs之间。

摘要：当前应用的半导体激光器存在温度控制模块性能较差问题,导致其使用寿命较短。为此,设计高功率半导体激光器,并对其进行性能分析。确定激光芯片材料,优化外延部分,控制芯片能耗。将驱动器设定为脉冲形式,优化驱动电路,设定充、放电时间,控制驱动器温度。增设冷却器,确定激光器的温度以及运行状态。至此,高功率半导体激光器设计完成。构建激光器性能测试环节,性能测试结果表明:新型激光器温度控制能力较高,在一定程度上可延长使用设备使用寿命,提升激光器运行可靠性。