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检索条件"主题词=激子隧穿"

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电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压: 收藏
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引用; 《发光学报》2013年第6期34卷 692-697页; 作者：尚开张振中李炳辉徐海洋张立功赵东旭刘雷王双鹏申德振发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130033 中国科学院大学北京100049 东北师范大学吉林长春130024; 对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究。样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长。激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高。非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的...; 对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究。样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长。激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高。非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的7 kV降低到了更适合器件小型化的5 kV。; 来源：详细信息评论

(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究: 收藏
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引用; 《发光学报》2001年第4期22卷 329-333页; 作者：羊亿栗红玉申德振张吉英吕有明刘益春范希武中国科学院激发态物理开放研究实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130021; 设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结...; 设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在，从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。; 来源：详细信息评论

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