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三维功率MOSFET器件的热可靠性设计
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《现代电子技术》2019年 第12期42卷 81-85页
作者：林洁馨 杨发顺 马奎 丁召 傅兴华贵州大学大数据与信息工程学院 
基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极...
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