摘要：提出了一种新颖的、更加通用的环形栅器件版图等效宽度提取方法,用于解决目前商用SPICE模型中版图宽度提取方法不适用于环形栅器件这一问题.该方法基于环形栅中沟道电场分布特性,可用于提取多种形状环形栅版图宽度.提出了SPICE模型中模型参数的修改方法,使SPICE环形栅器件模型仿真更为精准.通过TCAD(计算机辅助设计)等多种仿真途径对该模型进行验证,结果表明该模型具有较高的精确度.

摘要：通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击条形栅器件与环形栅器件产生的单粒子瞬态脉冲特性具有非常大的区别.分析了栅形状对单粒子瞬态的影响在PMOS和NMOS器件中的不同机理,对单粒子瞬态加固设计具有指导性意义.

摘要：由于在抗辐射加固设计(RHBD)中采用了环形栅的版图结构,由此引发了直栅SPICE仿真验证方法对RHBD不适用的问题.通过分析深亚微米工艺技术下环形栅结构的特性,建立了环形栅的有效栅宽长比算法,同时构建了环形栅的SPICE仿真模型,并针对抗辐射加固设计提出了如何有效地提取版图参数网表的策略,从而解决了传统SPICE仿真验证对RHBD不适用的问题,通过有效的仿真验证,确保电路性能,提高设计的可靠性.

摘要：为了实现与商用CMOS工艺兼容和最好的抗辐射效果,采用环形栅结构消除NMOS管中由总剂量效应引起的漏电流,采用保护环减轻单粒子闩锁效应和消除电势不同的有源区间场区漏电流,采用双互锁存储单元结构提高时序单元的抗单粒子翻转能力.利用这些加固方法,实现了在0.18μm CMOS logic工艺下小规模、混合高度、高密度标准单元库设计.利用数字集成电路前后端工具验证单元库设计,结果表明此设计内容完全可行.