摘要：对轧制复合铝合金/不锈钢双层复合材料进行不同温度和时间的退火,借助Zeiss Ax10金相显微镜、Quanta-200型扫描电镜、EDAX能谱仪和D-max X射线衍射仪对复合界面结合区进行金相组织观察、元素成分线扫描分析、界面化合物EDS分析及XRD物相鉴定,研究复合界面上金属间化合物的生长行为。结果表明:复合界面金属间化合物(IMC)主要为Fe2Al5相,当退火温度达773 K时,Fe2Al5已在界面上生成;随退火时间的延长,Fe2Al5的增厚符合抛物线法则;界面金属间化合物Fe2Al5的生长激活能为162.3 kJ/mol,并获得其生长动力学模型,通过此模型可对化合物层厚度进行初步计算。

摘要：向Zn-0.2%Al热浸镀浴中添加一定量的锰,在纯铁上获得了不同的合金镀层。采用光学显微镜和带能谱仪的扫描电镜分析锰对镀层形貌和生长动力学的影响。结果表明,锰能促进δ相呈致密状生长,且各相层中的锰含量随锌池中锰含量的增加而增加,锰主要富集在破碎状相层中;镀层厚度随锰含量的增加而减小,当浸镀Zn-0.2%Al时,镀层的生长呈线性规律,为界面扩散控制;当浸镀Zn-0.2%Al-Mn时,镀层的生长为抛物线规律,受扩散控制,这说明锰元素的加入抑制了锌元素的扩散。

摘要：针对近年来采用微生物法治理蓝藻这一热点问题,以铜绿微囊藻为受试对象,以浇灌蓝藻水华藻水的水稻根部土壤筛得的菌株XXG(Paenibacillus sp.)为试验对象,考察菌株的溶藻特性,研究溶藻进程中菌株的动力学,分别构建其生长、降解动力学模型。结果表明,在菌藻体积比为5.6%、温度为30℃且处于对数增长期的铜绿微囊藻条件下,处于对数增长期的菌株XXG 6 d的溶藻率为60.60%;菌株XXG在溶藻体系中的生长曲线符合Polynomial模型,其中第3.5天菌株的细胞密度(OD_(600))达到最大(0.799),菌株XXG比生长速率动力学符合一元一次线性模型;在菌藻共生状态下,指数衰减动力学模型和一级反应动力学模型均可较好地预测、模拟溶藻体系中叶绿素a浓度的变化;在溶藻过程中藻细胞的TN和TP浓度变化量与溶藻时间也都符合一元一次动力学模型。

摘要：数学模型是SSF生物反应器设计、优化和操作的重要工具,它不仅可以指导SSF过程生物反应器的设计和操作,而且可以深入分析发酵系统内的各种现象从而控制整个发酵过程。文中综述了近几年SSF过程动力学数学模型的发展,深入分析如何用数学方法描述SSF系统的各种动力学现象,对模拟结果进行讨论,并指出了该模型需要进一步改进的问题。

摘要：该研究设计了双层浅盘式生物反应器,以丸麦(去皮小麦)为培养基质,不同产香酵母为菌种,搭建丸麦曲固态发酵系统,并根据Logistic模型建立菌体生长动力学模型。结果表明,季也蒙毕赤酵母(Meyerozyma guilliermondii)、异常威克汉姆酵母(Wickerhamomyces anomalus)、马尔克斯克鲁维酵母(Kluyveromyces marxianus)、葡萄汁有孢汉逊酵母(Hanseniaspora uvarum)固态发酵26 h,丸麦曲中酵母活菌数均达4×10^(9) CFU/g以上。成功建立了4种产香酵母的Logistic模型(R2>0.96,P值均<0.001),模型拟合值与试验值间的相对误差均<3%,说明该模型能较好地反映4种产香酵母在丸麦上的生长特征。

摘要：对1株具有降胆固醇作用的干酪乳杆菌(Lactobacillus casei)LC-15的增殖培养基进行了筛选和优化,同时对其在分批培养时的生长动力学进行了研究。所得增菌培养基配方为0.1mol/L pH6.8的Na2HPO4-柠檬酸配制经蛋白酶预水解的10%脱脂乳冻干粉,再添加0.5%的葡萄糖,1.5%的胰蛋白胨,0.3%酵母浸膏,在此培养基中的最大菌数可达8.8×109cfu/mL,分别比MRS及脱脂复原乳中提高了1.35倍和0.75倍。得到的干酪乳杆菌在优化培养基中分批培养的生长动力学模型为:N(t)=3.4088/(1+e3.3560-0.3254t)。

摘要：对具有促进保加利亚乳杆菌生长的山楂多糖增殖培养基进行了优化,同时对保加利亚乳杆菌在发酵过程中的生长动力学进行了研究。保加利亚乳杆菌生长的最佳条件为山楂多糖2%,pH为6.5,温度为42℃。在优化后的山楂多糖培养基中的最大菌体浓度是正常MRS培养基的菌体浓度的1.13倍。应用MATLAB软件对Logistic方程进行最优参数估计和非线性拟合,得到了菌体生长动力学模型和模型参数,其相对误差较小,全局收敛性最小。

摘要：采用正交试验的方法,研究了电脉冲处理对热镀锌镀层生长动力学的影响.以合金层生长速率时间指数为评价指标对电脉冲处理效果进行了优化.正交试验结果表明,电脉冲处理参数中电容量是主要影响因素,处理时间影响不明显,在电容量200μF,电压700 V,频率2 Hz,处理时间30 s的条件下作用效果较好.在此参数条件下的热镀锌实验结果表明:合金层的生长受到抑制,厚度减薄,组织变得均匀致密;合金层生长速率时间指数由0.717下降到0.428,合金层的生长方式由界面反应和扩散联合控制转变为仅受扩散控制.

摘要：为获得氯化铷工艺设计和建模所需结晶动力学参数,在等温间歇冷却实验装置中,采用浊度计测量氯化铷水溶液体系的介稳区宽度,加入晶种间歇冷却结晶实验测量氯化铷溶液过饱和度变化曲线,研究了氯化铷水溶液体系介稳区宽度和生长动力学。该体系的介稳区宽度随饱和温度升高而变宽,随搅拌速率的增加而变窄,随冷却速率增大而变宽。采用自洽Nyvlt介稳区方程计算得到氯化铷成核级数和成核速率常数,成核级数小于3,为瞬时成核;且成核级数和成核常数均随着饱和温度的升高而增大,说明成核速率随温度的升高而增大。当加入晶种的量超过一定数,溶液的过饱和度快速下降;根据过饱和度变化曲线计算得到了氯化铷晶体生长动力学参数。晶体生长指数在实验温度范围内接近2,晶体生长速率常数随结晶温度的升高而增大。

摘要：研究固态Zn／Fe及Zn／Fe-Si扩散偶中金属间化合物的生长及硅的影响。对扩散偶在385℃下扩散30～300min的研究结果表明：在Zn／Fe扩散偶中，扩散层以δ相为主，ζ相和δ相之间具有平直的界面，随扩散时间的延长，δ相的厚度增加，ζ相逐渐被消耗，至退火300min时，dζ/dδ的值为O；但在Zn／Fe-Si扩散偶中，扩散层以ζ相为主，δ相呈小岛状伸入到ζ相层中，铁基体中的硅促进扩散初期ζ相的生长而抑制δ相的生长，并使δ层在扩散后期为完全的线性生长。3个扩散偶中总扩散层的生长均由扩散控制。