摘要：设计了新型ＫＴＰ电光偏转器，当通光口径Ｄ＝４ｍｍ、长度Ｌ＝４０ｍｍ时，其时间分辨率为１８０ｐｓ，从而可获得最窄宽度为４００ｐｓ的整形激光脉冲，而相同结构的ＬｉＮｂＯ３电光偏转器最窄只可获得宽度为８３０ｐｓ的整形激光脉冲，分析了电光偏转器设计中影响其性能指标的因素，指出利用恒温炉装置可消除激光脉冲在传播过程中的波面畸变。

摘要：采用有限元法对几种不同电极结构下电光偏转器的电场分布进行研究.设计出一种具有较大偏转角度的超越曲面电极结构电光偏转器,与圆柱电极结构和双曲面电极结构电光偏转器的性能对比,可知此种电光偏转器的偏转角度更大,电场梯度线性度更高·

摘要：从电光效应出发，对ＬｉＮｂＯ３电光偏转器的基本品质因子进行研究，导出了偏转器的设计公式，用有限差分法计算了四柱面电极电光偏转器的电场分布，对不同结构参数。

摘要：设计了一种四电极八边形结构的铌酸锂电光偏转器。仿真分析了四电极八边形结构和理想电极结构偏转器的电场分布特性.讨论了结构参数对偏转器电场分布、场强梯度和有效通光口径比的影响,并给出了四电极八边形偏转器结构参数的选取方法。仿真结果表明,在相同的晶体和施加电压下,近轴区域内四电极八边形结构与理想电极结构偏转器的电场分布一致,场强误差小于10%。根据分析结果,制备了八边形铌酸锂晶体电光偏转器。实验结果表明,该偏转器的偏转灵敏度为0.312μrad/V,与理论计算结果(0.340μrad/V)相吻合。

摘要：本文提出并设计了一种基于光子晶体负折射效应的电光偏转器,通过电压改变5CB相列型液晶分子的指向矢从而改变其折射率,并对电光偏转器进行偏转控制。应用平面波展开法(PWE)和二维时域有限差分法(2D-FDTD),对光子晶体的负折射特性和自准直特性进行仿真,实现了光路的分离与偏转。仿真结果表明,该电光偏转器可实现20°的较大偏转,而且偏转角随折射率呈线性变化。

摘要：本文从理论上探讨了利用压电材料的电光效应来实现光束偏转的可能性,提出了电光偏转器的设计思想,指出电光晶体的最佳候选者为钨青铜型铌酸盐材料。

摘要：为了发展性能优良的电光偏转器,采用傍轴近似分析了级联棱镜电光偏转器的折射率梯度等效表达式,总结出了不同几何结构电光偏转器的偏转角和偏转轨迹公式,在此基础上比较研究了4种不同几何结构电光偏转器的偏转特性和偏转轨迹,比较分析了梯形、喇叭形和抛物线形几何结构电光偏转器的偏转灵敏度,为较大角度电光偏转系统的设计提供了有意义的参考。

摘要：针对大角度的高速光扫描,利用三角形畴反转结构的电光偏转性质,设计了一种大角度电光偏转器,由1个抛物形和10个半抛物形畴反转结构偏转器级联组成。通过对抛物形和半抛物形偏转器的参数优化,得到了该电光偏转器的优化结构,设计完成的级联偏转器整体尺寸为130.0 mm×16.0 mm×0.5 mm(长×宽×高),当施加电场为±10.09 V/μm时,偏转器扫描范围为±30.6°。利用光束传播法(BPM)对偏转器进行了性能仿真,仿真表明在修正电压下,偏转器很好地实现了大角度的电光偏转功能,仿真结果与理论分析相符合。

摘要：本文研究了四极电光偏转的原理与特性,设计了凹圆形四极电光偏转器,计算了其场强分布与光束偏转角,给出了电光偏转线性区。

摘要：为了研究级联棱镜电光偏转器中常用的傍轴近似公式的实际适用条件,采用光线追踪方法,数值分析了两种不同模型矩形偏转器的偏转特性,比较分析了近似公式和数值计算之间的偏差。研究表明:采用傍轴近似,其偏转特性和数值计算值有偏差,具体偏差不仅与施加电场、长宽比有关,还与棱镜的数目、形状有关。棱镜数目越多,误差越小,每个棱镜棱角大小越接近,误差越小。当级联的棱镜数目取偶数且大于20后,偏差可减小到0.2%以下。研究结果可为高精度要求的电光偏转器的设计和优化提供一定的参考依据。