摘要：基于氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)半导体的金氧半场效应晶体管(MOSFET)器件在关态耐压下,栅介质中存在与宽禁带半导体临界击穿电场相当的大电场,致使栅介质在长期可靠性方面受到挑战。为了避免在GaN器件中使用尚不成熟的p型离子注入技术,提出了一种基于选择区域外延技术制备的新型GaN纵向槽栅MOSFET,可通过降低关态栅介质电场来提高栅介质可靠性。提出了关态下的耗尽区结电容空间电荷竞争模型,定性解释了栅介质电场p型屏蔽结构的结构参数对栅介质电场的影响规律及机理,并通过权衡器件性能与可靠性的关系,得到击穿电压为1200 V、栅介质电场仅0.8 MV/cm的具有栅介质长期可靠性的新型GaN纵向槽栅MOSFET。

摘要：为有效解决邻近高压输电走廊居民楼工频电场超标问题，在有限元计算基础上，研究了不同屏蔽方式与其空间架设位置对工频畸变电场屏蔽的影响。通过畸变电场的仿真计算，深入分析屏蔽方式及其架设位置与屏蔽效能的关系，提出通过优化屏蔽设备的空间架设位置提高屏蔽效果的新思路。并综合考虑屏蔽效果和膦蔽成本，对110～1000kV4个电压等级高压输电线路工频电场屏蔽方案进行设计。研究表明：通过合理选择辟敲疗式和优化架设位置，可大幅度提高屏蔽效能．对工频电场具有良好的屏蔽效果，对降低输电工程的环保成书具有最要意义，而不合理架设屏蔽设备则会使电场环境发生恶化。

摘要：在较高频率条件下,地电流检测用磁场测量仪因受外界电磁场干扰导致了测量的不准确。在分析电容性耦合干扰和电感性耦合干扰特点的基础上,设计了判断磁场测量仪干扰耦合途径的实验方法,并根据所设计实验判断出较高频率条件下磁场测量仪所受干扰主要为电容性耦合干扰。最后通过改进电路设计和采取电场屏蔽措施,使干扰输出降低30dB,显著提高了磁场测量仪的有效测量范围。

摘要：通过分析对比4种不同布置方式典型110 kV变电站站界电磁环境检测数据,得出目前110 kV变电站周围的工频电场强度和磁感应强度均远小于国家推荐的标准限值,即工频电场强度4 kV/m和工频磁感应强度0.1 mT。此外,变电站的构筑物对变电站工频电场的屏蔽效果显著,这给未来城市变电站的规划设计提供了有益参考。

摘要：使用正交排列的电容式传感单元的三维电场传感器(Three-dimensional electric field sensor,3D EFS)测量空间电场时,轴间耦合效应会严重影响EFS的测量精度。为此,提出了一种电场屏蔽电极,以降低3D EFS的轴间耦合效应,提高测量精度。首先,利用多物理场仿真软件构建电场分布模型。其次,根据仿真结果建立带屏蔽电极的3D EFS电容式传感单元的屏蔽电极模型。最后,建立任意角度的测试平台,将带有屏蔽电极的3D EFS和无屏蔽电极的3D EFS进行实验对比。结果显示,有屏蔽电极的3D EFS的测量偏差在3.2%以内,比无屏蔽电极的3D EFS的测量偏差减少12%。因此,所设计的基于电场屏蔽结构的3D EFS可以使解耦矩阵更加可靠,有效降低空间电场测量偏差。

摘要：本文从电磁兼容性设计的特点出发,结合电磁兼容性设计的内容,对干扰源的抑制、电场屏蔽、磁场屏蔽、滤波、接地、搭接、布局与线缆敷设的方法和注意事项进行了阐述。

摘要：在现实生活中由于干扰普遍存在,人们为避免干扰而想尽了各种屏蔽方法,但效果并不理想。本文在分析各种干扰源性质的基础上,分别对电场屏蔽和磁场屏蔽进行了详细的介绍,以实现最佳的抗干扰效果。最后对电子仪器的屏蔽进行了设计。应用表明,屏蔽具有良好的效果。

摘要：本文用电磁兼容原理进行了必要的电磁场屏蔽分析，合理地选取了展蔽材料及屏蔽的结构形式，满足了整车对分机的电磁兼容性要求。

摘要：在电子设备的屏蔽设计中,不能有直接穿过屏蔽体的导体和屏蔽体的导电连续性是两个最基本的原则。

摘要：在简要介绍噪声及干扰的基础上 ,详细分析了屏蔽的基本原理 ,进而提出一种多层屏蔽设计方法。在该测试系统中 ,选用 6层屏蔽盒 ,屏蔽盒材料由外到内分别是铜和铁。实验测试表明 ,该方法抗干扰能力强 。