摘要：准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之间的线性关系进行拟合而得;α和β的提取则是分别根据前散射和背散射的范围设计特定的提取版图,并根据电子束邻近效应产生的特殊现象进行参数值的确定。根据此方法提取了150nm厚负性HSQ抗蚀剂层在50kV入射电压下的散射参数,并将其应用于邻近效应校正曝光实验中,很好地克服了电子束邻近效应的影响,验证了此方法提取电子束曝光邻近效应校正参数的实用性及准确性。

摘要：电子散射实验用于研究原子核和核子的结构及其性质,它依靠谱仪偏转磁铁前后的多丝正比室和多丝漂移室所记录的粒子位置结合计算机软件来决定粒子的轨迹及其动量,作为一个为它服务的多丝正比室就应当具有一定的空间分辨才能满足谱仪对定位精度及动量分辨的要求,从而提供粒子空间位置的信息。 根据以上要求,针对本组设计制作的多丝正比室(有效面积1.2×3cm^2,丝距1mm,位置分辨50μm),我们设计制作了一套多丝室电子学系统,并与多丝正比室一起进行了初步的线测试,从实验结果可以看出,该电子学系统是廉价。

摘要：介绍了中高能电子散射全截面绝对测量装置的设计,采用直线透射技术.因采用了恒温控制作用室,以便较准确测量反应室的绝对气压值;同时采用静电型圆柱能量分析器,并用计数率测量模式代替通常的束流强度测量模式,从而可以大幅度减小接收立体角,抑制零度角的弹性散射贡献.通过以上几项措施,可以有效地提高测量的精度,从而可以对一些有意义的分子的中、高能电子散射全截面进行绝对测量.