摘要：通过SILCAVO软件仿真了铁电场效应晶体管漏极电流L特性。在研究了单层栅极的结构铁电场效应管的Id与铁电参数（ε,Ec，Pr，Ps／Pr）的关系基础上，提出了一种新型结构一电容模型多层栅极结构的铁电场效应管研究，发现具有多层栅极结构的铁电场效应晶体管的工作电压较高，具有抗干扰的优点；在栅极电压介于3-4V之间容易饱和极化，器件输出特性稳定，对材料性能不敏感，易于制造和便于电路设计；其极化前后输出的漏极电流差较大，有利于信号的分辨，提高电路工作效率。仿真结果为人们研究高性能铁电场效应晶体管提出了一个新的思路。

摘要：应用电容模型,分析传统E型磁心在全桥合成磁心变换器使用中严重的磁路不平衡问题。提出了一种新型的E型磁心设计,根据合成E型磁心中三个臂发挥的不同功能,复杂的全桥合成磁心设计被分为变压器设计和电感设计。推导出相关公式,通过这些公式可以清楚的发现传统E型磁心在应用于全桥变换器中的磁路不平衡问题。提出了一种实际的解决方案,并通过一种3 kWDC/DC交换的实验电路进行了验证。

摘要：提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器.

摘要：电晕放电会带来诸多危害,起始电晕电压的测量对于改进电气设备绝缘结构,提高起晕电压具有重要的意义,为此提出了一种测量导线起始电晕电压的新方法,即在导线附近安装非接触式电压传感器。导线发生电晕放电时电极表面出现的电离层改变了传感器分压比,因此利用分压比导数最大值可确定起始电晕电压。在介绍传感器测量的基本原理并通过工频试验验证传感器的测量精度后根据电晕套理论设计工频起晕试验,借助光子数切线法进行了对比研究。结果表明传感器可以准确测量导线全面起晕电压值,且通过传感器分压比的变化可以描述工频电晕的伏库特性。该方法简单便捷,易于实现,适合进行电晕试验研究。

摘要：随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM）,以及该模型中阈值电压、饱和电流和电容的基本建模理论。回顾了近年来体硅MOSFET BSIM的研究进展,着重从各种模型的优缺点、建模机理和适用范围方面分析了4种最有代表性的BSIM,即BSIM3v3,BSIM4,BSIM5和BSIM6。从模型的发展历史可以看出模型是随着MOSFET尺寸的缩小而不断完善和发展的。最后,对体硅MOSFET的模型发展趋势进行了展望。

摘要：实际的电容器件都是非理想的,其特性受到各种因素的影响,建立精确的电容模型对于电路系统分析与设计十分必要。考虑到电容的分数阶微积分特性,文中基于传统的电容整数阶等效电路模型,提出电容的分数阶等效电路模型,并采用差分进化算法辨识出模型参数,然后将该模型应用于Buck电路进行纹波电压的分析。仿真结果表明,同传统整数阶等效电路模型相比,分数阶等效电路模型拟合电容实际数据的准确度更高,验证了该电容分数阶等效电路模型的有效性。

摘要：功率器件的频率响应特性与其电容特性密切相关。相比于主要由沟槽底部宽度决定的普通沟槽型MOS器件栅漏电容,SGT MOS器件由于栅极在沟槽上半部分通过侧边氧化层、漂移区连接漏级,需要考虑4部分电容的并联。因此,建立SGT MOS器件的电容模型并加以仿真分析,验证了SGT MOS器件在电容特性上具有的绝对优势。