摘要：文章在理论和实验的基础上 ,对光电耦合器的电流传输比衰变的原因进行了全面的分析 ,并建立了数学模型 ,为可靠地应用光电耦合器件提供了工程设计的依据。

摘要：研究了光电耦合器的结构设计,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了重要参数CTR和BV随绝缘距离的变化以及BV与封装尺寸的关系。分析了用于不同光传输结构光耦的内外封装胶特性,对几种不同的封装胶通过光谱测试实验讨论其成分与特性。

摘要：对光电耦合器的结构设计进行了研究,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了各自对应的支架结构和封装形式。同时研究了电流传输比(CTR)和绝缘电压(BV)随绝缘距离的影响关系,以及BV与封装尺寸的影响关系。

摘要：针对采用光敏二极管进行光耦合的线性光耦所搭建电路线性输出范围较窄的问题,选用光敏三极管进行光耦合的非线性双路光耦设计电路,并对电路进行了直流分析和低频交流分析。实验证明,该电路扩展了线性输出范围,并能有效地完成信号的采集任务。

摘要：针对光电耦合器中使用的发光二极管(LED)进行了不同的方案设计,并对相关的光电耦合器进行了钴-60γ总剂量试验研究,比较了光电耦合器的主要参数——电流传输比辐照前后的变化,从而得到了优化的发光二极管设计。采用自主设计生产的发光管材料制作了发光二极管,同时利用中国电子科技集团公司第十三研究所研制的探测器、晶体管以及陶瓷管壳制作了光电耦合器。在4 mA偏置下,经过300 krad(Si)γ(辐照剂量率为50 rad(Si)/s)电离总剂量辐照后,电流传输比平均下降了31.5%,优于国外光电耦合器的已知水平。在抗辐射光电耦合器中,采用正装、小发散角结构的发光二极管可进一步提高其抗辐射性能。

摘要：基于非等温能量传输模型,利用TCAD半导体器件仿真软件对红外光电晶体管外延层电阻率、基区表面浓度和基区宽度参数进行优化设计。根据不同环境温度情况下AlGaAs/GaAs发光二极管的发光强度,深入分析了光电晶体管结构参数对不同环境温度下电流传输比及其温度变化率的影响。仿真结果表明:减小基区表面浓度和基区宽度有利于提高电流传输比的温度稳定性。相比于高温情况,低温下不同发射区表面浓度情况下的电流传输比温度变化率几乎相同。虽然发光二极管的光强随着温度的升高而降低,但是光电晶体管集电极电流始终低于发生大注入效应时的临界集电极电流,导致随着温度升高,光电晶体管电流传输比随之增大。

摘要：光耦反馈电路的特点是利用光耦合器实现信号传输与电气隔离,并与稳压管或可调式精密并联稳压器一同构成开关电源的反馈电路。

摘要：新的VOM617A和VOM618A系列具有40％～600％共9种电流传输比（CTR）范围，为设计者提供了更高的灵活性。

摘要：本设计是基于图形化编程语言LabVIEW,配合计算机和通讯电路所组成的一个虚拟测试仪器,用于测量和显示光耦器件的输出特性和电流传输比等参数。

摘要：基于图形化编程语言Lab VIEW,配合计算机和单片机通讯电路所组成的一个微控制器测试仪,用于测量和采集光耦特性数据,传输到计算机中利用Lab VIEW显示该光耦器件参数特性,并保存到PC机上。