摘要：GaN基LED的电流横向扩展导致电流分布不均匀的现象仍是目前亟待解决的难题,对于高压倒装LED更是如此。传统的LED工艺把负电极直接制作在n-GaN材料表面,而提出的优化结构是负电极内嵌于n-GaN材料。首先通过LED电流扩展的简单建模来探讨器件内部的电流分布情况,得出优化结构有利于改善芯片内部电流分布的理论推导。再进一步用SILVACO软件对优化结构和传统结构芯片内部电流分布进行了仿真对比,结果表明前者电流密度仅为后者的55%。最后制作了相关LED芯片样品进行热阻测试对比,实验表明优化结构芯片的结温和热阻较传统结构分别下降了13%和26%。可见芯片结构的优化设计方案是有效可行的。

摘要：LED电极结构极大地影响着LED芯片的电流扩展能力,优化电极结构,能够缓解电流拥挤现象。讨论了正装LED结构和倒装LED结构的电流分布模型,并通过SimuLED软件研究了电极结构对LED电流扩展能力的影响。仿真结果表明:采用插指型电极结构极大提高了正装LED的电流扩展能力,电极下方插入电流阻挡层(CBL)后改变了芯片的电流分布状况,有利于光效的提升;而倒装LED的通孔式双层金属电极结构利用两层金属的互联作用,使n电极能够在整个芯片范围内均匀分布,进一步提高了电流扩展性能。

摘要：采用ITO/Ti3O5薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层、窗口层、电流阻挡层和增透膜层。通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度。通过ITO/Ti3O5增透膜设计提升LED的光提取效率。具有该ITO/Ti3O5薄膜结构的主波长621nm的高亮度AlGaInP LED芯片(150μm×150μm)较传统结构芯片发光强度提升40%,20mA注入电流下,电压均值在2.1V左右。

摘要：本文介绍了一种双极性输出的大功率压控恒流源的设计方法。该恒流源采用简单的运放系统,经过电压扩展和电流扩展,可提供25V、0～2A的可调恒定电流,既达到了提供大输出电流的目的,而且电路结构简单,成本较低,精度较高。经测试该恒流源有较高的负载稳定度和较低的纹波。

摘要：文章从电路原理分析入手,介绍了LM317集成三端稳压器的应用设计,该电路设计解决了民用级可调试三端稳压器输出电压、电流可调范围较小,带负载能力较弱等问题。设计方法为在三端稳压器的输入端、调整端加入运算放大器和三极管,使电路的输出电压、电流值只取决于电路参数R、Vbe的值。通过长期实践应用证明,此方法不但适用于负载需要较大电流的通用型稳压器,而且适用于进行电路实验和电子产品的电路开发。

摘要：研究了ITO与n-GaN方阻的大小关系对电流扩展的影响,结果表明,在一定电极图形设计下,当ITO方阻大于n-GaN层方阻时,电流朝P电极附近集中,当ITO方阻小于n-GaN层方阻时,电流朝N电极附近集中,只有在ITO与n-GaN方阻接近时,芯片电流扩展才最佳。