摘要：基于0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种可用于低中频和零中频GPS接收机的CMOS正交混频器。通过固定电流注入技术,减小了混频器的噪声系数。将混频器的开关管偏置在线性区,可进一步降低混频器的1/f噪声,适用于零中频接收机。在1.8 V的工作电压下,由Cadence Spectre RF仿真可得,混频器的转换增益为7.1 dB,而4 MHz和20 kHz中频输出的SSB噪声系数分别为8.7 dB和12.3 dB。

摘要：设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe BiCMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源混频器转换增益约为6 dB,1 dB输出线性度约为4 dBm,噪声在15 dB左右,表明该电路达到基本性能要求。

摘要：提出了一种基于电流注入的故障试验方法并结合实际工程需要设计了一种故障注入装置,通过型号故障试验验证了这种试验方法的可行性。该方法具有通用性,可以支持振荡故障、瞬态故障及力纷争故障等试验,可广泛应用于作动系统的设备研制或飞控系统的综合验证试验中。

摘要：笔者基于TSMC 0.18um RF CMOS工艺设计了一种用于接收机前端的高带宽混频器（Mix）。在吉尔伯特基本结构上进行改进,采用电感负反馈、峰化电感和电流注入等技术,设计了一种工作在MB-OFDM标准下的3-5GHz混频器。经仿真验证,其有良好的混频性能。由仿真结果可以看到：混频器的转换增益为8-11d B。在4GHz的工作频率下,P1d B为-6d Bm,IIP3为4d Bm。

摘要：采用含运算放大器钳位结构的带隙基准核心电路,设计一种低温漂系数高抑制比带隙基准电压源。针对基准核心电路输出电压中高阶温度分量对温漂系数的影响,加入了一种电流抽取与注入结构的高精度曲率校正电路,在基准输出电压随温度上升而增大阶段抽取一部分正温度系数电流,在基准输出电压随温度上升而减小阶段注入一部分正温度系数电流,利用单一的正温度系数电流对基准输出电压高阶温度分量进行校正,达到降低温漂系数的目的。在0.5μm CMOS工艺模型下,使用Cadence Spectre软件对电路进行仿真,仿真结果表明,温度特性得到了较大的改善,当温度在-40～+125℃范围内时,温漂系数仅为0.5057×10-6/℃,低频段时电源抑制比为-81.8 d B。带隙基准电路正常工作的最低电源电压为2.4 V。

摘要：随着全球工业化进程的迅猛发展，电网装机容量不断加大，电网中电力电子元件的使用也越来越多，致使大量的谐波电流注入电网，造成正弦波畸变，电能质量下降，不但对电力系统的一些重要设备产生重大影响，也会对广大用户产生严重危害。目前，谐波与电磁干扰、功率因数降低被列为电力系统的三大公害，通过本书可以了解谐波产生的机理，研究和清除供配电系统中的高次谐波，

摘要：设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益。采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺设计,在本振(LO)信号的频率为1.571GHz,射频(RF)信号频率为1.575GHz时,混频器的增益为17.5dB,噪声系数(NF)为8.35dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6dBm。混频器工作电压1.8V,直流电流为8.8mA,版图总面积为0.63mm×0.78mm。

摘要：设计一种电流信号注入方式的电动汽车新型绝缘检测装置,通过在高压系统和车辆底盘之间注入一个电流信号,在高压系统、车辆底盘、漏电电阻、采样电阻和电流源之间形成一个测量回路,检测测量回路中取样电阻上产生的电压信号,并进行运算得到绝缘电阻阻值。实际测试表明,系统工作可靠,测量精度高,可有效在线实时监测车辆的绝缘性能,保障行车安全。

摘要：基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益的混频器。通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声;并且在开关管的源级增加电流注入电路的基础上并联一个电容与开关管共源节点处的寄生电容谐振,进一步降低混频器的噪声,增大电路的增益。仿真结果表明,在本振(LO)频率为2.395GHz,射频(RF)频率为2.4GHz时,混频器的增益为14.2dB,双边带噪声系数为5.9dB,输入三阶交调点为-3.2dBm。混频器工作电压1.8V,直流电流为8mA。