摘要：基于带隙基准原理,在自偏置共源共栅结构的基础上对传统带隙基准电路进行改进,通过在带隙核心电路中加入对应的NMOS管和PMOS管,构成一个三层叠共源共栅结构,显著提高了带隙基准源的电源电压抑制比。电路采用0.2μm的SOI工艺实现,实验室测试结果表明,该带隙基准电压源电路正常工作时输出基准电压为1.188 V,温度系数为5.4×10^(-6)/℃,启动时间约为2.2μs。

摘要：为了提高LDO的电压性能,设计了一款电压基准.基于带隙基准温度补偿的原理,通过增加运放、RC滤波器的方式改变了电路的结构,使得带隙基准的电源抑制比(PSRR)和温度系数得到了优化,并且改变了核心电路中MOS管与电阻的连接方式,让输出基准电压(V_(REF))可以在2-4 V之间调整.从仿真结果得知,当电源电压为2 V时,输出基准电压为1.19 V;温度在-40-85℃变化时,温度系数为1.9918 ppm/℃;高频电源电压抑制比为-72 dB@10 MHz.

摘要：通过将具有高阶温度项的MOS管亚阈值区漏电流转换为电压,并与一阶温度补偿电压进行加权叠加,实现二阶温度补偿.采用高增益的运放和负反馈回路提高电源抑制能力,设计一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源.基于0.18μm CMOS工艺,完成电路设计与仿真、版图设计与后仿真.结果表明,在1.8 V的电源电压下,电路输出电压为1.22 V;在温度变化为-40~110℃时,温度系数为3.3 ppm/℃;低频电源电压抑制比为-96 dB@100 Hz;静态电流仅为33μA.

摘要：在现有产品基础上加以改进,设计一种高精度低噪声低压差线性稳压器电路。设计采用折叠式共源共栅结构放大器来降低噪声,提高增益;使用PMOS管代替过热保护电路中的电阻,降低功耗,同时采用栅极驱动结构以及电流控制方式实现开关管导通与关断。基于TSMC 0.35μm B iCMOS工艺结合Cadence软件进行设计、版图绘制和前、后仿真,在后仿真中得出相关参数值。对各参数做出详细分析,并对不同频率下的电源电压抑制比进行了对比。实验结果表明本设计达到了高精度低功耗的设计目标。

摘要：基于MOS管在亚阈值区、线性区和饱和区的不同导电特性,采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种全MOS结构的电压基准源。为了改进核心电路,通过设计并优化预抑制电路,使整个电路实现了高电源电压抑制比的输出电压。对电路进行仿真,当电源电压大于1.5V时,电路进入正常工作状态;在1.8V电源电压下,-20℃~120℃范围内,温度系数为1.04×10^-5/℃,该电压基准源的输出电压为0.688 V;低频时,电源电压抑制比达到-159.3dB,在1MHz时电源电压抑制比为-66.8dB,功耗小于9.83μW。该电压基准源能应用于高电源电压抑制比、低功耗的LDO电路中。

摘要：为了有效降低模拟集成电路的功耗，提高工艺兼容性，文中提出了一种全CMOS结构的低电压、低功耗基准电压源的设计方法．该方法基于工作在亚阈值区的MOS管，利用胛AT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比．仿真结果表明：在1．0V的电源电压下，输出基准电压为609mV，温度系数为46×10^-6／K，静态工作电流仅为1．23μA；在1．0～5．0V的电源电压变化范围内，电压灵敏度为130μV／V，低频电源电压抑制比为74．0dB．由于使用了无寄生双极型晶体管的全CMOS结构，该电路具有良好的CMOS工艺兼容性．

摘要：设计了一种自偏置、共源共栅（cascode）结构的CMOS和式带隙基准电流源电路。用Chart 0．35μm5V电压CMOS工艺参数进行了Hspice仿真，结果表明，在一40-85℃温度范围内温度系数为15．2×10^-6／℃，电源电压抑制比为-51．8dB．

摘要：设计了一种可修调的高精度、低温漂、高电源电压抑制比的高阶温度补偿带隙基准电压源。在Brokaw型带隙基准电路结构的基础上,采用多晶硅电阻负温度系数补偿技术,可实现2阶曲率温度补偿,减小了基准电压的温漂;设计了电阻修调网络,保证了基准电压的高精度。电路基于标准双极工艺进行设计和制造,测试结果表明：在-55℃~125℃温度范围内,15V电源电压下,基准源输出电压为2.5（1±0.24%）V,温度系数为1.2×10-5/℃,低频时的电源电压抑制比为-102dB,静态电流为1mA,重载时输出电流能力为10mA。

摘要：提出了一种利用简单结构实现高阶指数曲率补偿和高电源电压抑制比的带隙基准电压源。利用正温度系数的反向饱和电流IS和双极型晶体管正向导通时的电流增益β以及Trimming修条电阻实现温度补偿,同时采用Wilson电流镜和电压负反馈技术来提高PSRR。仿真结果表明,该基准电压源达到了6.9 ppm/℃的温度系数,低频时PSRR最高达92 dB和39.3 ppm/V的线性调整率。

摘要：设计了一个改进的非线性匹配高阶补偿带隙基准源电路。该电路是在原非线性匹配二阶补偿的基础上,根据实际设计中遇到的问题改善了高温时基准的输出。本电路在一阶补偿和非线性二阶补偿后,对高温时基准输出作了三阶补偿,很大程度上增大了基准的工作温度范围。电路是采用CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,仿真结果表明:在5 V的电压下,基准输出为1.001 56 V,温度在-50℃~150℃变化时,基准变化为0.5 mV,温漂小于3×10-6/℃,当电源从4 V^6 V变化时,基准变化为2 mV。低频时电源电压抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)为-85 dB,整个电路的功耗小于55μW。