摘要：针对电荷耦合器件(CCD)在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响,对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究。首先,通过开展面阵CCD60Coγ射线电离辐照效应试验,在暗场条件下测试了面阵CCD辐照后输出信号随积分时间的变化,并拟合计算出暗信号斜率。然后,对比分析了不同偏置条件下辐照后暗信号退化的试验规律;分析了不同偏置条件下辐照后暗信号的退火恢复情况;分析了不同积分时间、不同总剂量下的暗信号不均匀性的变化规律。最后,阐述了电离辐照损伤诱发面阵CCD暗信号增大的物理机制。结果表明:面阵CCD对电离辐照损伤很敏感,在进行航天器成像系统设计时,要充分考虑CCD受电离辐照损伤带来的影响。

摘要：研究CCD受到射线辐照后的电离辐照效应或者损伤机制,对于在辐射场环境下如何正确应用CCD开展科学研究具有重要的意义。针对面阵CCD的辐照损伤效应的测试方法的要求,选用ICX285面阵CCD作为实验样品,结合辐照板离线和参数测试装置研制了离线式的测试系统,并且针对辐照实验的测试要求,设计了积分时间可调和过扫描设计两种功能,以获取CCD的暗信号和转移效率的变化。在60Co-γ射线源上,运用该系统开展了电离辐照效应实验,获得了受到射线辐照后面阵CCD暗信号的变化规律。

摘要：本文报道了硅栅CMOS IC抗电离辐照加固工艺,尤其对γ电离辐照最敏感的栅氧化工艺作了详细的研究。在大量实验的基础上确定了优化的850℃下氢氧合成氧化工艺,并对栅氧化后的工艺步骤进行了优化设计。对场区的加固技术也进行了研究。采用该工艺制造的CMOS LC4007电路的抗γ电离辐照能力达2×10^(6rad)(si)。

摘要：分析了焚烧、堆肥等抗生素菌渣处理技术的特点与不足,阐述了电离辐照技术处理抗生素菌渣的优势和应用前景。分析认为:电离辐照技术能有效降解抗生素菌渣中残留的抗生素和抗性基因,但也存在剂量率效应和自由基消除作用等问题;建议将辐照技术与其他资源化利用的技术相结合,深化机理研究,提高污染物降解效率并促进规模化应用。

摘要：分析了MOS器件的辐照特性及辐照失效机理。基于Global Foundries 0.35μm CMOS工艺,设计了一款320×256抗辐照加固紫外焦平面读出电路。该电路数字部分MOS管采用环形栅和双环保护进行加固,并在读出电路表面交替生长了SiO2-Si3N4复合钝化层。对加固后的读出电路进行了γ辐照试验,并使用示波器实时监测读出电路的输出状态。对比加固前后的读出电路实时辐照状态表明,加固后的读出电路抗辐照性能得到了明显提高,其抗电离辐照总剂量由35krad(Si)提升至50krad(Si)。