限定检索结果

检索条件"主题词=电脉冲"
53 条 记 录,以下是1-10 订阅
视图:
排序:
皮秒电脉冲的产生、测量及在微带中的传输色散
收藏 引用
《光学学报》1993年 第10期13卷 888-892页
作者:肖纲要 刘玉璞 张影华 何慧娟 赵永华 王之江中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800 
本文描述了Cr:GaAs-LiTaO_3开关——行波普克尔盒的设计结构.用飞秒激光脉冲作激发、探针脉冲,采用电光采样技术,产生并测量到了上升沿约为5ps的超快电脉冲,并从Yamashita的微带设计方程出发,运用准TEM波近似,分析了微带线的色散特性及p...
来源:详细信息评论
磁浮接触轨电脉冲除冰的试验研究
收藏 引用
《高电压技术》2022年 第4期48卷 1553-1560页
作者:欧阳虹 蒋兴良 涂振华 陈宇 杨帆 胡琴湖南磁浮交通发展股份有限公司长沙410041 重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室重庆400044 
在冬季,长沙磁浮接触轨的覆冰会导致列车停运,目前国内外缺乏磁浮接触轨除冰的技术和经验。通过分析电脉冲除冰技术,根据磁浮接触轨的特点,提出了2种磁浮接触轨电脉冲除冰方案。同时研制了电脉冲除冰的电源装置,设计了磁浮接触轨除冰用...
来源:详细信息评论
电脉冲孕育铝铜熔体电极加入方式
收藏 引用
《辽宁工程技术大学学报(自然科学版)》2013年 第2期32卷 216-219页
作者:张震斌 王建中辽宁工业大学化学与环境工程学院辽宁锦州121001 
为增强电脉冲孕育熔体作用效果,采用数值模拟与实验验证相结合的方法,设计了区别于传统脉冲电极加入方式的绝缘套管法.研究结果表明:绝缘套管法可以把电势直接导入到熔体内部,减弱了普通电极加入方法导致的表面效应,明显改善了熔体内部...
来源:详细信息评论
用光导开关产生高压、高功率超快电脉冲
收藏 引用
《激光技术》1995年 第3期19卷 146-149页
作者:牛燕雄石家庄军械工程学院 
基于半导体材料的光导效应,设计并制做光导开关,在偏压为4000V,负载电阻Z_0为50Ω时,用脉宽为~12ns的激光脉冲辐照光导开关,得到脉宽为~16ns,峰值电压为~1.8kV,峰值功率为~65kW的电脉冲,本文并...
来源:详细信息评论
电脉冲处理对热镀锌镀层生长动力学影响
收藏 引用
《北京科技大学学报》2012年 第7期34卷 783-787页
作者:薛庆国 孙伟 王静松 曹立军 孙昊延 王精华北京科技大学钢铁冶金新技术国家重点实验室北京100083 天津钢铁集团有限公司技术中心天津300301 
采用正交试验的方法,研究了电脉冲处理对热镀锌镀层生长动力学的影响.以合金层生长速率时间指数为评价指标对电脉冲处理效果进行了优化.正交试验结果表明,电脉冲处理参数中电容量是主要影响因素,处理时间影响不明显,在电容量200μF,电压...
来源:详细信息评论
基于双线圈驱动的电脉冲除冰系统设计及多材料动力响应与除冰研究
收藏 引用
《高电压技术》2024年 第12期50卷 5630-5637页
作者:牛一凡 石朋琳 姚佳伟 魏久富 魏鸿瑞中国民航大学中欧航空工程师学院天津300300 
由于电脉冲除冰技术具有效率高、能耗小、不会二次结冰等优点,越来越受到研究人员重视。目前电脉冲除冰系统应用研究仅局限于导电金属材料,其使用的单线圈驱动方式效率低,耗能高。为此首先探索了双线圈驱动方式,实现了低导电复合材料的...
来源:详细信息评论
电脉冲诱导的肝癌细胞凋亡效应和线粒体跨膜电位变化
收藏 引用
《中国组织工程研究与临床康复》2009年 第22期13卷 4299-4303页
作者:姜方弋 唐丽灵 刘欢 曾超 米彦 梁可道 孙才新重庆大学生物工程学院生物流变科学与技术教育部重点实验室重庆市400044 重庆大学电气工程学院输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室重庆市400044 
背景:目前已有报道证实,电脉冲能诱导癌细胞发生凋亡。目的:测试在不同参数电脉冲处理下人肝癌细胞的凋亡效应以及线粒体跨膜电位变化。设计、时间及地点:对照观察实验,于2007-03/2008-03在重庆大学生物流变科学与技术教育部重点实验室...
来源:详细信息评论
工业纯锌电脉冲孕育处理参数优化
收藏 引用
《过程工程学报》2009年 第S1期9卷 46-50页
作者:孙伟 王静松 曹立军 刘国梁 薛庆国北京科技大学冶金与生态工程学院北京100083 
以工业纯锌为原料采用正交实验方法进行电脉冲孕育处理的实验研究.通过不同处理时间、脉冲频率及脉冲电压等参数条件下试样的冷却曲线和凝固组织来研究3个工艺参数对电脉冲孕育处理效果影响程度,以此确定最佳处理参数组合.结果表明,不...
来源:详细信息评论
一种高抗辐射的SOI电脉冲时间间隔测定电路
收藏 引用
《固体电子学研究与进展》2003年 第3期23卷 292-295页
作者:安涛 孔荆钟 高勇 张新西安理工大学电子工程系西安710048 华东光电集成器件研究所蚌埠233042 
研制出一种高抗辐射的 SOICMOS电脉冲时间间隔测定器集成电路。在阐述其工作原理的基础上 ,进行了抗辐射设计与版图设计。通过实验分析找到了向 SOI材料的 Si O2 埋层注入 F+ 离子的优化注入条件 ,有效地抑制 SOI CMOS器件的阈值电压的...
来源:详细信息评论
一种SOI CMOS电脉冲时间间隔测定电路的研制
收藏 引用
《微电子学》2003年 第4期33卷 328-330页
作者:孔荆钟 张新 高勇 安涛西安理工大学电子工程系陕西西安710048 华东光电集成器件研究所安徽蚌埠233042 
 文章设计了一种SOICMOS电脉冲时间间隔测定器集成电路。阐述了其工作原理,进行了电路的版图设计,测试了芯片的性能。测试结果表明,该电路测量精度高、工作速度快,且抗辐照性能好,达到了设计要求。
来源:详细信息评论
聚类工具 回到顶部