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一种含LDE效应的深亚微米电路设计流程: 收藏
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引用; 《微电子学》2015年第5期45卷 670-672页; 作者：冯光涛陈先敏杨家奇中芯国际集成电路制造有限公司上海201203; 介绍了一种包含LDE效应的深亚微米电路设计流程。分析了100nm以下工艺节点LDE效应对器件的影响,以及传统集成电路设计方法的局限性。在此基础上,提出了包含LDE效应的电路设计方法,并通过中芯国际先进工艺节点的模拟电路设计实例进行了...; 介绍了一种包含LDE效应的深亚微米电路设计流程。分析了100nm以下工艺节点LDE效应对器件的影响,以及传统集成电路设计方法的局限性。在此基础上,提出了包含LDE效应的电路设计方法,并通过中芯国际先进工艺节点的模拟电路设计实例进行了验证。结果表明,在亚100nm工艺节点,尤其在40/45nm及以下节点,LDE效应的影响已不可忽略,需要采用含LDE效应的电路设计流程。; 来源：详细信息评论

Protel在电路设计中的应用研究: 收藏
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引用; 《塔里木大学学报》2008年第2期20卷 80-83,98页; 作者：刘建萍塔里木大学机械与电气工程学院新疆阿拉尔843300; 本文介绍了如何使用Protel99 SE进行电路设计,并结合自己的实践教学体会指出了初学者设计中可能出现的问题,给出了具体的解决方法和使用技巧。; 本文介绍了如何使用Protel99 SE进行电路设计,并结合自己的实践教学体会指出了初学者设计中可能出现的问题,给出了具体的解决方法和使用技巧。; 来源：详细信息评论

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