摘要：形状记忆合金(SMA)驱动器在生物医疗中得到了广泛应用。目前,SMA驱动器的控制器多采用外部传感反馈方式,体积大,应用受到限制。提出一种基于SMA内部电阻反馈的嵌入式控制电路。使用ATMEGA16单片机搭建了SMA驱动器加热控制电路及恒流源电桥方法的电阻测量采集电路。实验表明:该控制系统可以产生可控PWM,恒流源电桥方法测SMA电阻可以得到足够的测量精度,系统可用于SMA驱动器的控制。

摘要：SMA驱动器在航空航天上具有良好的应用前景。目前SMA驱动器的控制器多采用外部传感反馈方式,体积大,应用受限制。提出搭建基于SMA丝内部电阻反馈的嵌入式控制电路;利用传统PI对驱动器进行控制。实验结果表明,恒流源电桥法测SMA丝电阻可以得到足够的测量精度,采用PI的控制规律内部电阻反馈的方式可以实现高精度的控制。

摘要：基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于10 GHz以下无线通信频段的两级超宽带低噪声放大器(LNA)。第一级在互补共源级的基础上通过引入电阻反馈、电感峰化技术和伪电阻结构,在拓展带宽和提高增益的同时降低了噪声。第二级在共源放大的基础上通过电感峰化技术、增益辅助级和缓冲级的使用,提高了电路的增益并改善了输出宽带匹配特性。仿真结果表明,在0.5~9.2 GHz频率范围内,电路增益为14.2±0.2 dB,噪声系数(NF)小于3.97 dB,整体功耗为12.9 mW。

摘要：详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。

摘要：文中介绍了一种基于锗硅BICMOS的宽带低噪声放大器的设计。此放大器工作在2.7 GHz～3.5 GHz的频带,采用0.18μm的锗硅工艺和cascode结构来增加其反向隔离度,并且使用了射极电阻负反馈和电阻并联反馈改善其带宽和线性度。仿真结果展示了其在通带范围内16.3 dB的增益和小于-10 dB的端口反射。此放大器噪声系数为2.8 dB左右,并使用5 V电源电压。

摘要：介绍了一种新型SMA驱动器。该驱动器实际上是偏心内嵌有单程SMA丝的弹性硅胶棒。它集成了驱动单元和执行单元的功能 ,特别适于作为小型和微型机器人系统中的致动元件。以弹性棒变形理论为基础 ,研究了驱动器的机械和力学特性。最后 。

摘要：本文提出了一种无电感单端转差分宽带低噪声放大器LNA,该电路包含有三个反相器结构的增益级,并且嵌有本地反馈电阻以实现宽带输入阻抗匹配的目的。而且,在第三级电路中,在电流偏置晶体管旁边并联一个电容,以改善电路增益以及差分信号的相位。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计,该宽带LNA在0GHz～1.4 GHZ的频段内,取得了17.4 dB的最大增益,-5.3 dBm的最小输入三阶交调截止点IIP3,1.2 dB的最小噪声系数。该电路在1.3 V电压供电下,仅消耗了10.8 mW的功耗。

摘要：本文针对形状记忆合金智能材料的传感和驱动性能,利用SMA丝在低温相时柔弱、高温相时强硬的特性,在高温相变过程中能输出较大的驱动力,设计了差动式SMA双程直线驱动器控制机构;搭建了给SMA丝加热控制电路和恒流源电桥方法的电阻信号采集电路;同时结合传统PID控制方法来完善控制效果。实验证明该系统具有较好的精度和一定的响应速度。

摘要：负反馈技术一直是改善放大器性能的重要方法之一。随着变压器技术的不断发展,无损耗反馈技术已逐渐取代电阻反馈成为宽带放大器设计中的重要方法。无损耗反馈的形式有许多种,目前最常用是双直流耦合反馈技术。就无损耗反馈与电阻反馈技术进行了比较;描述了无损耗反馈中反馈器件的选择和反馈形式;尤其给出了双直流耦合反馈技术的原理,结合实际应用描述了无损耗反馈宽带放大器的优越性能。