摘要：本工作设计了近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数(包括光谱响应、暗电流等)进行模拟仿真,优化了器件的结构参数和工艺参数。仿真结果表明:所设计的pin型光电二极管在波长为0.6~1.5μm时比pn型光电二极管具有更高的响应度,峰值波长为1.11μm时,响应度最高达到0.742 A·W^-1,1.31μm处响应度为0.53 A·W^-1。pin型光电二极管的暗电流密度较pn型光电二极管略大,约为1×10^-6 A·cm^-2。Mg2Si/Si异质结中间界面态密度也不宜超过1×10^11 cm^-2。

摘要：采用正交试验方法进行了用于CCD栅复合介质的SiO2和Si3N4厚度的配比实验,研究了退火温度和退火气氛对复合介质界面态的影响,获得了最佳的复合介质SiO2与Si3N4的厚度配比,使得Si-SiO2界面态密度满足设计制作要求。

摘要：从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果.

摘要：晶体管特性取决于材料纯度和界面性质。讨论了顶部钝化的氮化物对场效应迁移率(μ_(FE))和阈值电压的影响。获得场效应迁移率为1.0cm^2V^(-1)S^(-1)。由栅和源之间脉冲电压作用引起的液晶显示器(LCD)工作期间阈值电压的偏移,可以通过累加根据脉冲顺序而依次产生的每个阈值电压偏移值计算出。已制备出的样品在50℃下估计寿命为10年,这对于的实际应用是令人十分满意的。本文报导了无定形硅薄膜晶体管液晶显示LCD(a-Si TFT-LCD)技术的最新进展。我们已设计出用于电视的对角线为6.5英寸的显示屏,用于高分辨率飞机座舱显示器的3.2英寸信息显示屏,用于计算机终端的14.3英寸大屏幕显示器。分别讨论了这些技术。