摘要：界面陷阱会显著影响探测器的瞬态特性,为揭示其内在机理,并为探测器设计提供借鉴,基于二维仿真开展了背照式光伏型InSb红外探测器瞬态特性的界面陷阱效应研究,分析了界面陷阱与空穴浓度、复合率、电场等关键物理参数的相关性.研究表明,随着界面陷阱密度的增加,界面附近的复合率和电场会随之增加,空穴浓度会减小,而在电流密度分布中出现了"黑洞",且该"黑洞"位置逐渐向pn结移动.此外,随着界面陷阱密度的增加,瞬态光响应会逐渐减小.

摘要：研究了SIMOXSOI器件的电学特性 .发现在众多的MOSFET中 ,输出特性曲线的低漏压端都出现了“鸟嘴”形畸变 ,表现在转移特性曲线上便是高栅压区域中漏电流的深度饱和 .在经历沟道热载流子应力之后 ,这类器件的电学参数退化不同于一般器件的损伤特性 .研究发现NMOSFET在应力之后其漏电流的深度饱和得到恢复 ;而对于PMOS ,应力之后输出特性中的“鸟嘴”形畸变并没有消弱的迹象 .这些性质对于SOI器件可靠性设计和可靠性加固均是重要的 .

摘要：航天器运行在恶劣的空间环境中容易引发充放电现象,而叠加电磁场会导致其在较低的充电电位下发生放电,严重威胁航天器的安全运行。为揭示强电磁场诱发真空沿面放电的机理并提出抑制方法,该文采用离子交换方法对聚酰亚胺(polyimide,PI)薄膜表面进行改性处理,并基于搭建的强电磁场诱发真空沿面放电平台,结合表面陷阱、二次电子发射系数(secondary electron emission yields,SEEY)等表征手段,系统分析表面改性对抑制强电磁场诱发PI薄膜沿面放电的机理。结果表明:改性后的PI表面引入大量浅陷阱,显著降低PI薄膜的表面电阻率和SEEY,并提升了材料表面电荷的积聚与消散速率。同时,浅陷阱的引入降低了PI薄膜的SEEY和直流场下的极化能,抑制气体的解吸附与电离及二次电子倍增过程,从而显著提升了PI薄膜在抑制强电磁场诱发真空沿面放电方面的能力。该研究有望为强电磁场诱发航天器表面沿面放电的防护设计提供参考。

摘要：SiC因其优越的电学特性,已发展成为高压功率器件领域的翘楚。然而,SiC与SiO_(2)界面存在高密度界面态,使得SiC MOSFET沟道迁移率远低于SiC材料本身的体迁移率,大大约束了SiC材料本身电学性能的发挥。为改善反型层沟道迁移率,不同功率器件厂商采用了不同的栅极氧化工艺,所实现的栅极氧化层界面态密度各有不同,现有的功率器件仿真软件提供的多种界面态能级分布模型都需要芯片厂商实际的流片数据作为支撑,这对功率器件上游设计人员产生了阻碍。基于此,文章通过流片测试数据,结合TCAD仿真软件给出了一种用于SiC MOSFET器件仿真的界面态能级分布模型。利用给出的界面态能级分布模型,与实际产品对比,仿真得出的I-V曲线与测试曲线基本重合。