摘要：采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度计、Hall效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功率对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。结果表明:与室温生长并经410℃热退火后的薄膜相比,410℃原位生长可获得光电性能更好的薄膜;随着衬底温度的增加,电阻率单调减小,光学吸收边出现蓝移;在溅射功率为85 W时薄膜的光电性能达到最佳。在衬底温度为580℃、溅射功率为85 W的工艺条件下,可制备出电阻率为1.4×10^(–4)?·cm、可见光范围内平均透过率为93%的光电性能优异的ITO薄膜。

摘要：讨论了在低温下以高纯金属钒作靶材,用直流磁控溅射的方法制备出了氧化钒薄膜。通过设计正交试验,分析了氩气和氧气的流量比,溅射功率,工作压强,基底温度对氧化钒薄膜沉积速率和电阻温度系数TCR的影响,采用RTP-500型快速热处理机对氧化钒薄膜样品进行了退火热处理,实验结果表明:当Ar与O2的比例为100:4,溅射功率为120W,工作压强为2Pa时,所获得薄膜TCR较大,都在-2%/K附近,最高的可达-3.6%/K。

摘要：在锆合金基体上制备直流磁控溅射铬膜,研究了基体宏观粗糙度、膜层沉积前的离子轰击对膜/基附着性的影响,以探讨利用铬膜改善锆合金耐蚀性的可能性。实验中,使用扫描电镜(SEM)观察了界面形貌及Zr、Cr的界面分布,用划痕法测定了铬膜的附着性,结果表明:锆/铬界面结合良好,边界清晰,成分升降区依界面形貌不同而有差异;实验获得的铬膜附着性均超过20N;在本文条件下,机械锁紧力对附着性有重要影响;基体宏观粗糙度的增加对附着性无明显影响,但表面轻微粗化有利于膜的附着性;溅射前的基体离子轰击有利于提高铬膜与基体的附着力,但轰击时间过长并无意义。

摘要：目的 研究渗铬界面层对铬/类石墨碳(Cr/Graphite-Like Carbon,GLC)复合涂层力学性能、结合强度及磨蚀行为的影响,阐明Cr/GLC复合涂层的抗磨蚀机理。方法 以316L不锈钢(316L)为基体,先借助双辉等离子表面合金化(DGPSA)技术制备渗铬界面层,再采用直流磁控溅射(DCMS)技术制备顶层GLC涂层。利用扫描电子显微镜(SEM)、共聚焦显微拉曼光谱仪(Raman)和X射线衍射仪(XRD)表征涂层的微结构与成分,采用纳米压痕仪、划痕仪、摩擦磨损仪和电化学工作站测试复合涂层的力学性能、断裂韧性、结合强度和抗磨蚀性能。结果 渗铬界面层能够促进GLC涂层的石墨化转变,实现硬度分布的梯度变化(基体为3.65 GPa,渗铬界面层为8.97 GPa,表面为13.15 GPa),有效阻碍了裂纹的扩展。与GLC涂层相比,Cr/GLC复合涂层具有较高的断裂韧性和结合强度(≥50 N),在3.5%NaCl溶液中具有更低的摩擦系数(0.055)和更低的磨损率(3.22×10^(-7)mm^(3)/Nm),其抗腐蚀性和化学稳定性也明显更优。结论 通过界面设计,实现了Cr/GLC复合涂层硬度分布的梯度过渡,提高了复合涂层的断裂韧性以及与316L的结合强度,赋予了复合涂层优异的抗磨蚀性能,为其在海洋苛刻环境下的磨蚀防护提供了有益借鉴。

摘要：光谱选择吸收薄膜的制备是太阳能集热器高效吸收太阳能的关键技术。本文首先研究了磁控溅射Cr/Cr2O3金属陶瓷选择吸收膜中,氧气流量、溅射靶电流等基本参数对靶电压的影响,然后对不同氧气流量和靶电流条件下制备的Cr/Cr2O3金属陶瓷选择吸收膜的光学常数采用椭偏仪进行了研究,得到了不同工艺条件下的Cr/Cr2O3金属陶瓷薄膜的光学常数,最后经过膜系设计和试验镀制,制备出了室温下吸收率α≥95%、发射率ε≤5%的高性能太阳能选择吸收膜。

摘要：为了利用铬膜改善锆的抗腐蚀性,研究了退火对Zr-2基体上制备的直流磁控溅射铬膜附着性的影响。使用扫描电镜(SEM)观察了界面形貌及锆、铬的界面分布,用X-射线衍射仪(XRD)分析了膜层的组成,用划痕法测定了铬膜的附着性。结果表明:锆/铬界面结合良好,边界可见;与现有文献比较,获得的铬膜附着性好——均超过20N;溅射后退火使Zr-Cr界面更像扩散界面,但X-射线衍射结果未发现有界面反应产物;退火提高铬膜与Zr-2基体的附着性约50%,扩散附着是附着性增加的主要因素。

摘要：采用直流磁控溅射法在载玻片和不锈钢基底上制备某设计要求的氧化铝薄膜,首先采用单因素法分别分析溅射功率、氧气流量、工作压强、负偏压及本底真空度等制备参数对薄膜沉积速率的影响;在此基础上设计正交试验,研究优化范围内溅射功率、氧气流量、工作压强对沉积速率的影响,并进行极差与方差分析。结果表明,在一定工艺参数范围内,随着溅射功率的增加,薄膜的沉积速率不断增大;氧气流量增加时薄膜的沉积速率不断下降;随着工作压强的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,在1.0 Pa时达到最大速率;加载的负偏压增加时,薄膜的沉积速率不断降低;本底真空度提高时薄膜的沉积速率不断增大;通过使用XRD衍射仪对制备的薄膜进行物相检测,研究结果表明,常温下不同氧气流量制备的氧化铝薄膜均为非晶态;获取了制备所需薄膜的较优的制备工艺。

摘要：研究了用直流磁控溅射技术在 80～ 1 40目的镍基合金微粒表面包覆 1 0μm左右的金属铬膜的方法 ,讨论了工艺的影响和膜的性能 ,指出利用直流磁控溅射技术可在镍基合金微粒表面获得均匀、完整的厚铬膜 。

摘要：本文利用直流磁控溅射法在不同条件下制备玻璃基Ti O2薄膜样品,并检测了薄膜的超亲水性。研究了沉积条件例如溅射总气压,氧气和氩气的相对分压,溅射功率,基片温度和后续热处理对Ti O2薄膜最佳性能的影响。实验结果显示：在较低温度下沉积的Ti O2薄膜是无定型且亲水性较差,然而,在400~500℃范围内退火过后,薄膜表面呈现超亲水性能。

摘要：非晶硅薄膜(a-Si)是目前重要的光敏材料,在很多领域得到广泛应用。直流磁控溅射具有工艺简单,沉积温度低等优点,是制备薄膜的一种重要技术。采用直流磁控溅射工艺在玻璃基板上沉积薄膜,并对样品进行了退火处理。研究了沉积速率与溅射功率的关系。结果表明薄膜的沉积速率与溅射功率近似有线性关系。利用X射线衍射(XRD)对薄膜进行了分析鉴定,结果表明溅射的薄膜是非晶硅薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)对非晶硅薄膜的表面形貌进行了观察和分析,与X射线衍射测试的结果一致。所以,利用直流磁控溅射工艺能在常温下能快速制备出良好的非晶硅薄膜。