摘要：针对现有运放忆阻器存在积分漂移的缺陷,本文首先提出了一种基于镜像电流源的新型荷控忆阻器。然后,将新型荷控忆阻器与电感串联,再与Lorenz电路中的电容并联构成一种含荷控忆阻Lorenz (Lorenz with Charge-Controlled Memristor, Lorenz-CCM)混沌系统。接着,通过分岔图、Lyapunov指数和时域图对提出的Lorenz-CCM系统的动力学行为进行了数值仿真,结果表明Lorenz-CCM系统动力学行为不仅与电路参数有关,对电路初始状态的敏感性,且存在瞬态混沌现象。最后通过搭建硬件实验系统验证了Lorenz-CCM混沌系统理论演绎与电路设计的正确性。

摘要：在混沌神经网络中引入一时变参数控制混沌行为 ,形成具有瞬态混沌特性的神经网络(TCNN) ,保证网络收敛到一个稳定的全局最优解 ,同时针对最短路问题设计了神经网络结构并构造了能量函数。仿真结果表明 ,TCNN解最短路问题时 ,总能收敛到全局最优 。

摘要：将二次型磁控忆阻器引入混沌系统,构建了一个新的四阶超混沌忆阻系统。首先探讨了忆阻系统的特性,采用包括Lyapunov指数和维数、耗散性、无限多平衡点集与稳定性等的分析方法,确定了新忆阻系统的超混沌特性,得到了无尽的平衡点集,与原系统对比发现新系统更复杂,混沌程度更高。进而研究了新系统的动力学行为,观察到随系统参数不同引起的瞬态混沌现象和随初始值不同引起的吸引子共存等现象,这是首次对包含常数项的混沌系统做出的动力学分析。最后设计并搭建了该系统的模拟电子电路,实验表明示波器结果与数值仿真结果具有良好的一致性,为忆阻超混沌系统的实际应用奠定了基础。