摘要：矢量调制器芯片作为一种可以同时对载波进行相位和幅度调制的新型电路,能够替代传统的数字移相器和数字衰减器用在有源相控阵系统中.先设计了一款工作在Ka波段毫米波单片矢量调制器,在片测试结果显示可以实现-12～-40 dB的幅度调制与360°的相位调制.然后设计了一个Ka波段1×8阵有源相控阵天线,改变矢量调制器的控制电压,成功实现了波束扫描功能,验证了基于矢量调制技术的有源相控阵的可行性.

摘要：在采用模拟复相关器的综合孔径辐射计中,模拟复相关器会受到很多因素(环境温度、信号串扰等)的影响而引入随时间变化的相关偏置。引入的相关偏置对高灵敏度室内综合孔径辐射计的影响很大,实时消除相关偏置是综合孔径辐射计设计中的关键点和难点。提出了一种采用矢量调制器实时消除模拟相关偏置的算法。通过算法推导和论证,在现有综合孔径辐射计中进行了验证,很好地解决了相关偏置问题,相关偏置的残余误差可以达到5%以内,校消的速度受限于积分时间,本文可以达到毫秒量级。本文算法简单易实现,也可广泛应用于其他需要实时消除此类干扰的系统中。

摘要：精确的相位调制技术是星载毫米波有源相控阵天线最关键技术之一。传统的数字移相器构造较为复杂,尺寸较大,相位调制特性有局限性,不是高工作频段、宽扫描角星载相控阵天线发展的最优选择。文章提出采用单片矢量调制器来代替数字移相器及数字衰减器,利用电压来控制矢量调制器的相位调制,提高了相位调制性能,同时具有结构简单、尺寸较小等优点。在此基础上设计了星载毫米波段有源相控阵天线,并且实现了精确的二维波束扫描功能,验证了矢量调制器在星载毫米波有源相控阵天线中应用的技术可行性。

摘要：在传统的单平衡式I-Q矢量调制器的基础上,提出了一种新颖的I-Q矢量调制方法。通过采用180°模拟移相器替代传统的双相调制器和衰减器,从而降低了插入损耗并减小了芯片面积。最终,本文采用0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计出了一款K波段单片集成的I-Q矢量调制器。实测结果表明:在21~23GHz频带内,该芯片实现了0到360°的连续变化的相位调制,其幅度调制深度大于20dB,插入损耗小于11.2dB。

摘要：报道了Ｃ波段单片矢量调制器的设计和制作。采用双栅场效应晶体管（ＤＧＦＥＴ）放大器作为控制器。偏置电路在芯片内。采用集总薄膜电容、电感、电阻作为匹配元件。采用离子注入、背面通孔接地、空气桥跨接等先进工艺技术。描述了ＤＧＦＥＴ器件Ｓ参数的提取步骤。两路放大器和９０°相移网络制作在３．１５ｍｍ×２．５ｍｍ×０．１ｍｍ的芯片上，同相功分器制作在１．６（１．８）ｍｍ×２．９ｍｍ×０．１ｍｍ的芯片上。电路可获得在０～８７°内连续变化的相移量，输出幅度可控。

摘要：矢量调制器由于在毫米波频段内具有的多级幅度和360°相位控制的特点，在毫米波直接载波调制和相控阵雷达系统应用中具有十分重要的作用。文中采用平衡式矢量调制器结构，对影响该调制器宽带平衡响应的关键参数进行了分析。通过研究Lange耦合器的耦合系数和均效应管开关管的尺寸对宽带平衡性能的影响，提出了一种宽带矢量调制器的设计方法。基于该设计方法，采用单片电路的实现方式，利用商用砷化镓70nmmHEMT工艺设计了一款工作在40GHz-80GHz的宽带毫米波矢量调制器微波单片集成电路。结果表明：在整个40GHz的带宽范围内，所设计的矢量调制器具有优于±4°的相位偏差和优于±0．4dB的幅度偏差。

摘要：文中介绍了一种能适应较宽工作频率范围的毫米波矢量调制器的电路结构和设计方法，特点是只采用一个脉冲变压器传输双极性触发脉冲，拓扑简洁，所用元器件少，解决了高低压电位隔离、抗干扰、小型化等关键性问题，并借助Pspice仿真手段对优化其技术指标的策略展开深入分析。最后，通过实验验证，并取得比较满意的结果，该电路可广泛应用于栅控行波管雷达发射机。

摘要：矢量调制器是一种可以同时控制微波信号幅度和相位的器件。本文介绍了一种基于新型微带定向耦合器的宽带矢量调制器。新的耦合器结构克服了传统微带耦合器耦合度低、方向性差的问题,也不需要Lange耦合器复杂的加工工艺,在平衡放大器、移相器和衰减器等场合具有广泛的应用。其次,研究了用串联电感对衰减器中PIN二极管的寄生参数进行补偿的一种简单方法,以改善衰减器衰减量变化时的相位性能。该方法原理简单,可在一定带宽内替代复杂的平衡结构,并给出相近的性能。最后给出了矢量调制器的测试结果和它在自适应天线阵等实际系统中的应用情况,并讨论了用于提高载波和边带抑制、满足高精度要求的校准方法。

摘要：为了解决在从测试数据中提取模拟矢量调制器的数字控制数据时所产生的控制精度与测量时间之间的矛盾问题,本文通过对测试数据的分析,提出了通过对粗测数据进行插值后再提数的方法来解决该问题。实测数据表明,本文所设计的方法对模拟矢量调制器的幅相控制数据提取能达到较理想的结果,能有效的解决在工程应用中的问题。

摘要：基于0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs PHEMT)工艺,设计并实现了一款K波段的平衡式矢量调制器微波单片集成电路(MMIC)芯片。该矢量调制器集成了Lange耦合器、双相幅度调制器和威尔金森功率合成器,其中双相幅度调制器采用平衡式结构对幅度和相位失真进行了补偿。当工作电压以10 mV为步进,从-0.9~0 V扫描时,矢量调制器MMIC实现了连续幅度调制和0°~360°的相位调制。测试结果表明,在18~26 GHz频率内,最大调幅深度大于27 dB,插入损耗小于8.1 dB,输入电压驻波比小于1.3∶1,输出电压驻波比小于1.5∶1。平衡式矢量调制器MMIC尺寸为2.4 mm×2.5 mm,该电路具有插入损耗小、芯片尺寸小、功耗低等特点,可广泛应用于数字通信系统中。