摘要：为了满足Wi-Fi 6射频前端对高线性度、高发射功率的需求,基于GaAs HBT工艺设计工作于2.4~2.5 GHz的功率放大器.利用有源自适应偏置、二次谐波阻抗控制和多级放大器失真互补实现所设计放大器的高线性输出功率,通过键合金线的高品质因子寄生电感降低输出匹配的插损,并将直流与射频功率检测集成.测试结果表明,所设计放大器的小信号增益为30.6~30.7 dB,输入输出回波损耗均小于-10 dB,输出1 dB压缩功率为29.2 dBm,对应功率附加效率为26.4%.在802.11ax标准、MCS7调制策略、40 MHz带宽的测试信号下,当误差矢量幅度小于-30 dB时,所设计放大器的最大输出功率为24.1 dBm.在MCS9调制策略下,当误差矢量幅度小于-35 dB时,所设计放大器的最大输出功率为23.6 dBm;在MCS11调制策略下,当误差矢量幅度小于-40 dB时,所设计放大器的最大输出功率为22.4 dBm,对应最大功率附加效率为10.2%.

摘要：基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提高高频增益,扩展带宽,改善噪声。常温在片测试结果表明,在3.3 V单电源供电下,0.6~18.0 GHz频带内该款低噪声放大器噪声系数典型值1.5 dB,小信号增益约15 dB,增益平坦度小于±0.9 dB,输入、输出电压驻波比典型值分别为1.7和1.8,1 dB压缩点输出功率典型值14 dBm,功耗72.6 mW,芯片面积1.5 mm×1.2 mm。

摘要：对传统Wilkinson功率分配器的设计方式进行改进,使用蛇形环绕式结构取代传统的微带线结构,并在功分器隔离电阻处引入了频率补偿电容,基于砷化镓(GaAs)工艺,借助ADS软件设计并制作了一款新型结构的小型化超宽带一分二Wilkinson功率分配器芯片。芯片实物测试结果表明,在通带4~20 GHz内,插入损耗典型值为0.65 dB,端口回波损耗典型值为20 dB,端口隔离度典型值达到25 dB,芯片尺寸仅为1.0 mm×0.9 mm×0.1 mm。该功率分配器的实测结果与仿真结果相吻合,电特性优良,具有较高的实用价值。

摘要：针对脉冲调制全数字发射机中高速数字信号难以高效驱动射频功率放大器的问题,提出了一种高效线性MMIC功率放大器设计方法。采用连续F类功率放大器提高数字发射机系统的效率,采用三阶互调抵消改善临近饱和线性度。基于南京电子器件研究所GaAs pHEMT工艺,研制了一款S波段高效率线性功率放大器进行验证。测试结果表明,在3.4~4.0 GHz频段内,当输入功率为-10 dBm时,输出功率为26.2~26.7 dBm,功率附加效率为53.3%~60.7%,功率增益为36.2~36.7 dB。在3.7 GHz频点,输出功率为24.5 dBm,三阶互调失真小于-30 dBc;9 dB峰均比、40 MHz正交频分多路复用的64-QAM调制信号激励下,平均输出功率及对应的功率附加效率分别为20.5 dBm和28%,实现了-30 dBc的邻道功率比及5.5%的误差向量幅度。

摘要：设计了一款10~18 GHz高精度单片6 bit数控移相器芯片,采用的电路结构融合了全通滤波器(APF)、高通滤波器(HPF)和低通滤波器(LPF)型移相结构。采用多个全通滤波器级联的移相结构可以在宽带内实现精准的相位偏移量,但电路结构比较复杂。该设计通过两种方式改进级联全通滤波器型移相结构,一是采用全通-高通网络替代全通网络,二是采用低通网络替代全通网络,可以在保持高移相精度的同时减少电路元件数量,缩小芯片尺寸。使用0.25μm GaAs PHEMT工艺制造移相器芯片,内部集成六位并行驱动器,芯片尺寸为2.7 mm×1.4 mm,测试得到10~18 GHz频段内移相精度(RMS)为2°。

摘要：基于0.25μm GaAs PHEMT工艺设计了一款7~13 GHz微波单片高效率驱动放大器。芯片采用两级级联拓扑结构,在输入级引入共源并联负反馈结构拓宽工作带宽,同时为兼顾输出功率和效率,在输出级引入等效RC模型拟合输出管芯的最优阻抗。基于等效RC模型,通过采用电抗匹配方式降低输出宽带匹配网络的损耗来实现较高的输出功率和附加效率。实测与仿真曲线吻合度较好,实测结果显示:在7~13 GHz工作带宽范围内,输入驻波比小于1.5,输出驻波比小于1.8,线性增益大于13 d B,3 d B压缩点输出功率大于24 d Bm,功率附加效率大于35%,芯片面积为1.8 mm×0.8 mm。

摘要：文章基于GaAs pHEMT晶圆工艺现状,根据不同材料特性,从芯片设计、晶圆制程控制、封装材料选择三个维度进行了研究,报告了针对类似材料组合相对复杂的化合物半导体工艺器件在高加速温湿度应力(HAST)能力方面所面临的现状。同时,通过典型案例分析,说明了此类化合物器件在耐湿热能力设计及制程控制上需要注意的关键点,用于类似芯片设计或工艺开发工作进行参考。

摘要：介绍了适用于光伏行业砷化镓(GaAs)薄膜电池制备所需的大尺寸方形载板金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应腔的多级分气系统,以及该反应腔结构设计过程中的核心参数:喷淋盘孔尺寸、载板与喷淋盘间距(简称“腔室间距”)。基于自研的容量为36×4寸的MOCVD反应腔模型,应用计算流体力学(CFD)方法,同时考虑GaAs沉积过程中的气相反应和表面反应,对不同孔参数和腔室间距时的气流分配和薄膜化学气相沉积过程进行了数值模拟。考察了跨孔压差与气流量分配均匀性的关系,以及腔室间距对反应区气体流动以及GaAs薄膜沉积的影响。结果表明:初级“蜘蛛”形分气盘将主进气口分配成64个子进气口后的分气均匀性较好,质量流量值波动幅度仅为0.22%;增加喷淋盘孔深度可缓慢且线性提高孔压差,而缩小孔径对于压差的增加非常迅速;增加喷淋盘孔压差可提高次级分气均匀性,但提升效果趋缓;大腔室间距下的沉积速率低,且均匀性差;随着腔室间距缩小,沉积速率持续增加的同时,沉积均匀性先变好,后逐渐由于气流震荡而变差。

摘要：针对无源混频器需要高本振功率驱动的问题,采用砷化镓(GaAs)0.25μm PHEMT工艺,设计了一款集成双平衡无源混频器和本振驱动放大器的超宽带混频多功能芯片。混频器由肖特基二极管堆和两个结构新颖的平面螺旋间隔互绕式补偿型marchand巴伦构成,本振驱动放大器采用单电源两级自偏式负反馈共源结构。多功能芯片射频(RF)带宽为8~20 GHz,本振(LO)带宽为8~20 GHz,中频(IF)带宽为0.01~5 GHz。在本振驱动功率为-3 dBm时,芯片变频损耗典型值为8.0 dB,本振/射频隔离度典型值为25 dB,本振/中频隔离度典型值为45 dB,射频/中频隔离度典型值为45 dB,输入为1 dB功率压缩点典型值为12 dBm,驱动放大器功耗为+5 V/50 mA,芯片尺寸仅为2.2 mm×1.15 mm×0.1 mm。该混频多功能芯片的实测结果与仿真结果对比吻合,电特性优良,具有良好的应用前景。

摘要：砷化镓和蓝宝石晶体已经广泛应用于红外领域、光电领域和军事设备,因此两种材料的折射率测量对光学设计、计量检测和工业应用具有重要意义。为提高两种材料折射率的测量精度,采用微片激光回馈干涉技术同时测量折射率和厚度。此系统结合外差调制和准公共路径对空气气流和振动进行补偿,因此具有高灵敏度、高精度和高稳定性的特点,特别是同时测量性以及仅需将样品加工成薄片状而非棱柱形。实验结果表明,砷化镓和蓝宝石晶体 (在寻常光下) 的折射率测量精度提高到10^(-3)和 10^(-4),且厚度的精度均为 10^(-4)mm。