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检索条件"主题词=砷化镓高电子迁移率晶体管"

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一种基于微结构的GaAs HEMT的压阻系数: 收藏
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引用; 《固体电子学研究与进展》2010年第3期30卷 358-361页; 作者：侯婷婷薛晨阳刘国文贾晓娟谭振新张斌珍刘俊中北大学电子测试技术国家重点实验室太原030051; GaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处。介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs HEMT在平行于HEMT生长方向(Z方向)单轴应力作用下的力电耦合特性。测试结果表明:GaAs HEMT不同偏压下...; GaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处。介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs HEMT在平行于HEMT生长方向(Z方向)单轴应力作用下的力电耦合特性。测试结果表明:GaAs HEMT不同偏压下压阻系数不同,且它的最大压阻系数为(1.72±0.33)×10-7Pa-1,比Si高出三个数量级。; 来源：详细信息评论

半速率时钟10Gb/s光纤传输用2∶1复接器设计: 收藏
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引用; 《光电子技术》2004年第4期24卷 211-213,222页; 作者：夏春晓王志功朱恩东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096; 介绍了使用 0 2 μmGaAsHEMT工艺设计的一个 1 0Gb/s以上的光纤传输用2∶1复接器。该复接器使用了半速率时钟的结构。为了减小功耗 ,设计时使用了 3 3V的电源 ,并对每个单元进行了优化。整个芯片的功耗约为 460mW。测试结果显示 ,该电...; 介绍了使用 0 2 μmGaAsHEMT工艺设计的一个 1 0Gb/s以上的光纤传输用2∶1复接器。该复接器使用了半速率时钟的结构。为了减小功耗 ,设计时使用了 3 3V的电源 ,并对每个单元进行了优化。整个芯片的功耗约为 460mW。测试结果显示 ,该电路可以工作在 1 0Gb/s以上的数据速率。; 来源：详细信息评论

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