摘要：新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系,以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰,文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度,文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。

摘要：采用0.25μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2.3~3.8 GHz频段的低插入损耗、高精度、小尺寸且集成数字驱动器的6位数字移相器。移相器中的6个移相单元按45°/90°/5.625°/11.25°/180°/22.5°的顺序级联。为了改善移相精度和抑制级联散射,进一步优化了移相单元的电路设计。在2.3~3.8 GHz频率范围内,数字移相器的相位均方根误差最大值为4°,输入输出电压驻波比小于1.4,插入损耗小于4 dB,各状态的幅度波动小于0.8 dB,芯片尺寸为2.44 mm×1.52 mm。

摘要：针对器件低内阻下的高灵敏度这一器件特性上的难题，在砷化镓霍尔传感器设计中采用非对称十字形结构。在制作上采用全离子注入平面化技术，获得了在８００Ω内阻上大于２５ｍＶ／ｍＡ·ＫＧ的高灵敏度。

摘要：针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)0.25μm工艺,设计了一款1~6 GHz正电压控制的高线性度微波单片压控衰减器(VCA)。该压控衰减器控制管芯选择电阻变化率更小的D-mode PHEMT晶体管,通过电压浮地技术和采用片上集成隔直电容的方式,对传统的T型衰减电路的拓扑结构进行改进,从而实现0~5 V的正电压控制和高线性度。芯片在片测试结果表明,基态插入损耗小于2.3 dB,端口输入、输出电压驻波比小于1.6∶1,压控衰减器的衰减动态范围为0~28 dB,芯片尺寸为1.75 mm×1.35 mm×0.1 mm。

摘要：采用南京电子器件研究所4英吋0.25μmGa AsPHEMT工艺技术,设计、制作Ku波段Ga AsMMIC六位数控移相器芯片,芯片尺寸为3mm×1.1mm×0.1mm。在15～17GHz设计频带内,该移相器具有优良的电性能,插入损耗小于9dB,移相精度(RMS)小于1°,输入输出电压驻波比小于1.4。

摘要：利用标准微电子工艺研制出了一种可以应用于微波倍频电路中的肖特基势垒变容二极管,采用平面结构的制作工艺,克服了传统制作工艺的不易集成的缺点。并且在N型层的掺杂浓度呈指数规律,使变容管的变容比高于传统的均匀掺杂结构,有利于提高倍频电路的工作频率和输出功率。采用台面隔离工艺以形成分别用于制作肖特基接触和欧姆接触的两个台面。经过测试,得到-6V～0.5V电压下的电流特性和-4V～0.2V电压下的电容特性曲线。变容比高达2.3。

摘要：介绍了一款自主设计采用0.25μm GaAs PHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果。该移相器在工作频带2.8～3.6GHz内64个移相态的移相精度RMS<1.0°、插入损耗IL<5dB、输入输出驻波比VSWR<1.5、幅度均衡ΔIL<0.3dB、1分贝压缩输入功率大于25dBm、切换时间ton、toff均小于10ns。外形尺寸为10mm×10mm×2mm。

摘要：利用电流复用技术设计8mm频段低噪声放大器芯片,采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,芯片尺寸为1.73mm×0.75mm×0.1mm。测试结果显示:在32～38GHz频带内,放大器增益大于21dB,噪声系数小于1.85dB,输入、输出电压驻波比小于2.5,P1 dB大于7dBm,功耗5V,28mA,采用电流复用技术比传统设计的功耗降低将近40%。

摘要：本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。

摘要：介绍一种具备深背部通孔特点的砷化镓无源器件制作的芯片滤波器,并对其射频特性进行了进一步的讨论。在背部通孔深度达到200μm且形貌垂直的基础上,制备出一背部垂直电感。测试结果表明:在3.3~4.2 GHz频带内,该芯片滤波器的插入损耗(IL)<1.6 dB,带内回波损耗<-30 dB,可以满足当前微波毫米波系统中的大规模应用。并且该芯片滤波器的设计尺寸为1.0 mm×1.0 mm×0.25 mm,与传统滤波器相比,面积缩减了近90%,符合当前通信系统器件小型化的发展趋势,具有广阔的应用前景。