摘要：采用0.25μm GaAs pHEMT E/D工艺实现了X/Ku波段的双向真时延芯片的设计。通过在新型长号型延时结构中增加双向选择开关,实现了低插入损耗波动的双向数控可调真时延电路。其延时单元采用四阶和二阶电感耦合全通滤波器实现,单位面积下具有较高的延时量,并通过双向有源开关选择延时路径来控制延时大小。延时芯片的工作带宽为6~18 GHz,可实现3位延时,最小延时步进为15 ps,最大延时范围为106 ps。仿真结果表明,其具有相对较低的插入损耗8.1~15 dB,且损耗随时延的波动小于±2 dB。芯片尺寸为1.91 mm^(2),群时延均方根误差小于10 ps,回波损耗大于15 dB,直流功耗为110 mW,输入1 dB压缩点大于7 dBm。

摘要：太赫兹调制器作为太赫兹技术应用的重要器件之一,在太赫兹通信、成像和传感等领域具有广泛应用前景.但是目前太赫兹调制器调制深度、工作带宽、稳定性等有待提升,这制约了太赫兹技术的进一步推广与发展.基于此,设计并制备了一种新型光控砷化镓/侧边抛磨太赫兹光纤(SPTF)调制器,将砷化镓转移到太赫兹光纤抛磨区,增强太赫兹波倏逝场与砷化镓相互作用.在外置808 nm激光器照射下实现对太赫兹波幅度调制,调制深度达到97.4%.实验结果表明,这种新型的光纤调制器具有较好的光控调制效果.同时,该器件体积小、集成度高,具有广泛应用的潜力.

摘要：霍尔芯片是利用霍尔效应实现磁场测量的一种磁场传感器,灵敏度是霍尔芯片性能的核心指标,芯片的结构设计优化可以在现有材料和工艺基础上优化芯片灵敏度。本文以砷化镓材料为基础,通过对霍尔芯片不同长宽比结构参数进行有限元分析,恒压工作状态下,长宽比为1.7的结构参数下,霍尔芯片具有相对值最高的灵敏度输出;恒流工作状态下,长宽比为4的结构参数下,霍尔芯片具有相对值最高的灵敏度输出。本文对其他半导体材料霍尔芯片的结构设计具有普适性,对恒压恒流模式工作的霍尔芯片提供了一种灵敏度优化的办法。

摘要：砷化镓模数转换器(ADC)具有良好的电性能和耐辐照能力,广泛应用于各种领域,尤其是航空航天领域.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,在前期对电路进行辐照试验基础上,针对电路设计和工艺制造进行大规模集成电路的抗辐射研究,改进电路的设计和工艺制造技术,提高电路的抗辐射能力.本文主要对该电路的设计、工艺研究和γ总剂量辐照试验进行描述,试验结果表明该模数转换器能够抗100K rad(Si)总剂量的辐照.

摘要：设计了一种具有光栅结构砷化镓吸收层的薄膜太阳能电池,利用严格耦合波方法对矩形光栅和三角形光栅结构砷化镓吸收层在300～900 nm入射波长范围内的吸收效率进行了分析。结果表明:相比于平坦吸收层,两种光栅结构在TE和TM偏振光条件下吸收效率均有提高,峰值吸收率可提高55.9%。并对矩形光栅、三角形光栅结构参数进行了优化设计,对两种光栅吸收层的角度依赖性做了分析,得出在填充比和厚度相同的情况下,正三角形光栅吸收层的角度依赖性最优。最后利用有限元法对入射光在电池吸收层的吸收增强效应进行了理论模拟,通过与平坦结构吸收层的电场分布对比,可以直观地看出入射光在光栅结构吸收层的吸收增强效应。该研究结果为制备高效率、高性能太阳能电池结构提供了参考依据。

摘要：光纤温度传感器易受到光源驱动电流变化、光路弯曲、熔接损耗等强度变化因素影响,为解决光强度变化导致的测温偏差,系统采用定时更新原始入射光谱,实现光源波形自校准。光谱分析装置易受环境温度变化引起光谱漂移,为解决光谱漂移引起的测温偏差,系统采用波长锁定器定位特征波长,使用光谱漂移补偿的方法,实现光谱自校准。为实现多通道光纤测温,设计了光学复用系统。设计自校准验证实验验证系统自校准功能的有效性,实验结果表明,在系统使用环境发生变化时,自校准测温系统测量误差小于±1℃,因此设计的自校准测温系统能够抵抗光源光谱波形变化带来的误差,克服光谱分析装置受环境温度的干扰。

摘要：在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器.实测结果显示在5 mW本振功率的驱动下,在328 GHz可得到最小变频损耗10.4 dB,在320~340 GHz范围内,单边带变频损耗小于14.7 dB.

摘要：介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。

摘要：对金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)生长的三结砷化镓太阳电池进行高能电子和质子辐照试验,获得太阳电池的短路电流、开路电压、最大输出功率辐射衰减数据。发现不同能量电子和质子对太阳电池的辐射衰减系数,可利用电子或质子的位移损伤剂量关联起来。利用该关系对中星10号卫星的三结砷化镓太阳电池阵在轨辐射衰退进行预测,发现太阳电池阵在轨输出功率与地面模拟预测数据基本吻合。研究结果可为空间辐射环境中应用的三结砷化镓太阳电池冗余设计提供参考数据。

摘要：雷达、通信产品中的微波系统正朝着小型化、高集成、高可靠、低成本方向发展。滤波器广泛应用于雷达、通信系统的前端,是非常重要的无源器件。传统工艺(腔体、印刷电路板)实现的滤波器体积庞大,难集成,稳定性不高。本文阐述了一种基于砷化镓集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺,采用契比雪夫响应的LC结构,设计并实现了一款性能优良的带通滤波器设计,相比传统工艺的滤波器,大大缩小了滤波器的体积,实现了射频与微波系统的小型化。