摘要：挪威科技大学的研究人员开发出一种低成本的方法,能够在砷化镓纳米线上生长出石墨烯。研究人员称,这种石墨烯半导体混合材料具有优良的光电性能和透明、可弯曲等特性,有望加速石墨烯的商业化进程,为半导体产业带来变革。相关论文发表在《纳米快报》杂志上。负责此项研究的挪威科技大学电子与电信系教授黑尔格·韦曼教授说:

摘要：介绍了砷化镓阈值电压的测试原理和测试方法,并完成了Φ3砷化镓阈值电压自动测试系统的设计与研制。该系统包括自动探针台、测量设备和相应的软件。自动探针台的定位精度为10μm,分辨率为2.4μm,速度为251mm/s。阈值电压测量精度为1mV。该系统可进行Φ3砷化镓圆片的MESFET器件参数的自动测量、存储和运算,能给出圆片的阈值电压分布图。该系统还可用于大圆片的电阻率、欧姆接触电阻、背栅电压和光敏特性等的测量。

摘要：介绍几种新颖的超小型1GHz～26Hz高性能11.25°GaAs微波/毫米波集成电路移相器的设计、制造和性能。这几种移相器可以兼容不同的模拟或数字控制信号。

摘要：用法国进口的ＧａＡｓＶＰＥ设备，采用ＡｓＣｌ）３／Ｈ＿２／Ｇａ体系，以ＳｎＣｌ＿４ｌ／ＡｓＣｌ＿３为掺杂液，生长了２英寸多层ＧａＡｓ外延材料，自行设计了反应器的热场分布，在反应器中增加了合适的搅拌器，用以改变反应器中气体流动情况。ＧａＡｓ外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于５％。浓度均匀性的最佳值为３．７％，厚度均匀性的最佳值为１．５％，当外延层载流子浓度为１．９×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）时，室温迁移率达到４３９０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。

摘要：基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用简化的T型衰减结构,实现了0.5 dB和1 dB的衰减位。16 dB衰减位采用开关型衰减拓扑,在提高衰减平坦度的同时,有效降低其附加相移。测试结果表明,在12~18 GHz的频率内,数字衰减器衰减64态均方根误差(RMS)小于0.25 dB,附加相移为-0.5°^+9.5°,插入损耗小于4.9 dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。芯片尺寸为3.00 mm×0.75 mm。该芯片电路具有宽频带、高衰减精度、小尺寸的特点,主要用于微波相控阵收发组件、无线通讯等领域。

摘要：针对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象，设计了Ｔｉａｌ栅和ＴｉＰｔＡｕ栅ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的高温正向大电流试验，通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析，确定了栅寄生并联电阻的退化是导致器件的跨导ｇｍ、栅反向漏电流Ｉｓ、夹断电压Ｖｐ等特性退化，甚至导致器件烧毁失效的主要原因。

摘要：半导体激光二极管触发下砷化镓(Ga As)光导开关工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的Ga As光导开关以提高开关场强。设计的开关芯片厚度为2 mm,电极间隙为3 mm,利用半导体激光二极管对开关进行触发实验。当开关充电电压超过8 k V后,开关输出脉冲幅度显著增强,输出脉冲前沿快于光脉冲,开关开始雪崩工作模式。随着开关电场不断增加,开关输出电压幅值也线性增加,但开关输出波形没有改变。对开关抖动进行测试,其测试结果显示开关偏压对抖动影响很大,随着开关偏压增加,开关抖动减小,当开关偏压升至15 k V时,开关获得最小抖动约500 ps。

摘要：介绍了自主开发的多个完整实用的 Ga As IC CAD软件 ,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波 IC CAD、光电集成电路 CAD、 Ga As VHSIC CAD、微波高速 MCM CAD等 ,并简要介绍了针对 Ga As工艺线的建库工作。以上软件和库已用于多个通信电路的设计。

摘要：由于砷化镓材料具有载流子迁移率高、宽禁带大、最大电阻率高等优点,在近十年时间作为主要的功率放大器件被广泛应用于通信的各个领域,本文对砷化镓功率器件的工作特性进行了介绍和研究,根据器件特性使用MOS管进行了加电保护电路的设计,并根据NMOS管、PMOS管工作方式的不同分别进行了分析,并进行电路设计。

摘要：介绍了GaAs太阳能电池的基本原理、结构设计和制作工艺。用水平液相外延系统 ,三室分离多片外延石墨舟 ,研制了 p+-AlxGa1 -xAs/ p -n+-GaAs结构的太阳能电池。在AMO ,1 0 0mW/cm2 ,2 5℃的测试条件下 ,开路电压 (Voc)为994mV ,短路电流密度 (Jsc)为 2 3.2mA/cm2 ,填充因子 (FF)为 0 .794,光电转换效率 (η)达 1 8.2 %。