摘要：根据ＧａＡｓ阈值电压的测试原理，选取了一种比较精确的实验测试计算方法。在此基础上，分别设计了ＧａＡｓ 单晶阈值电压均匀件自动测试系统的硬件电路和软件程序，并利用此系统对ＧａＡｓ样品进行了实际测量，效果良好。

摘要：本文从砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAsMESFET)大信号模型出发,采用谐波平衡法书出稳态解,获得了大信号S参数。所开发的软件可同时获得大小信号S参数,并在同一Smith圆图上显示出来,也可进行增益压缩等特性的分析。该软件已和参数提取、电路分析软件串成一体实现了从GaAs材料器件物理参数出发直接设计出微波单片集成电路(MMIC)的新思路。

摘要：通过用Numerov方法求解Schr(?)dinger方程计算了GsAs量子阱内的能级和波函数,详细地讨论了能级对各种参数——包括阱宽、势垒高度和外加电场的依赖关系。这些结果有助于GaAs/AlGaAs量子阱结构的光电性质研究和器件设计。

摘要：本文探讨一种新乘子迭代的乘子法.并用于计算机优化设计有约束条件下的GaAsFET放大器.乘子法中,为使乘子λ^(?)收敛到有限值,文章建议应选择参数C初始值.使之与被优化目标函数权因子的最大值在同一数量级.作者将研制成功的二个三级GaAs FET放大器进行级联后测试.在3～7.4GHz频率范围内.得增益49=2.5dB,最大噪声系数3.6dB(典型3.3dB),1dB增益压缩点的最小输出功率-13dBm.实验证实乘子法是行之有效的.文中给出基于匹配网络综合理论分析得到的三级GaAs FET放大器新的拓扑类型及网络元件的计算机优化值.

摘要：研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_1_xAs超晶格量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极。

摘要：简要介绍了红外探测器的历史和现状。在提出的一种新型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器的构想及已有工作的基础上，建立了一个物理模型，并进行了模拟计算，着重分析了各个器件参数对器件性能的影响，为今后设计器件打下了理论基础，在此基础上特别指出了该构想的一个新用途：外加偏压调制波长红外探测器。

摘要：首次应用一种新的物理构想和工作机制设计了新型的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器，并进行了理论计算、器件研制和测试分析。结果表明，这种新型探测器与常规ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱红外探测器相比，具有一些新的特点。理论计算和实验结果得到了很好的一致性。给出了这种新型器件电流输运的计算方法；得到较低的暗电流，较宽的光吸收谱（５～１０μｍ）；得到了新型器件的红外辐射下的光电流响应；初步给出了新型器件工作点的选取方法；模拟计算表明，增加周期个数，将会得到更大的光电流响应。

摘要：本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7～12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波匹配。放大器的输入端和输出端均为BJ-120波导。

摘要：研究双势垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数，用微扰的方法求出电子波函数的含时系数，最终给出电子隧穿几率和隧穿电流密度、计算结果表明电子隧穿几率曲线中出现附加的隧穿峰和隧穿峰变低，并且随穿电流密度曲线巾出现附加的隧穿台阶，隧穿峰变低和展宽，这主要是由于外加突变电场与Ｅ±ｎω的电子态耦合，为电子隧穿提供间接的通道和路径、这也是设计双势垒电子隧穿器件不可忽略的、上述方法也可以推广到多量子阶系统。

摘要：TQM6M9085的占位面积为5．25mm×6mm，向手机设计者提供砷化镓（GaAs）异厥结双极晶体管（HBT）的所有优势。其在低直流电源下的高增益线性工作模式使它非常适用卡要求高效率的下一代设备。该集成式模块还具有附加开关端口以支持更多频带，为智能手机、功能手机和低成本的纯语音手机提供更大的设计灵活性。