摘要：为了具备8 inch(1 inch=2.54 cm)硅单晶辐照生产能力,同时进一步提高硅单晶辐照质量,对岷江试验堆(MJTR)硅单晶辐照技术进行改进研究。通过在辐照孔道增加中子屏布置改善硅单晶辐照的不均匀性,在辐照孔道外增加反射层布置提高辐照孔道热中子注量率,满足了8inch硅单晶辐照要求;同时对硅单晶辐照操作工艺进行优化设计,并对半自动辐照控制工艺进行了设计改进。硅单晶辐照技术改进后,每罐硅操作时间缩短了一半左右,辐照罐数可增加2%,辐照生产效率提升显著。

摘要：活化法测量硅单晶中子嬗变掺杂的辐照热中子注量时,由于活化探测器与硅的目标反应截面随中子能量的变化曲线存在一定差异,导致测量值可能存在较大偏差。为了抑制反应截面差异引入的测量影响,基于Stoughton-Halperin约定关系,确立了二元一次方程组求解法和线性最小二乘拟合法,并使用多种活化探测器进行了实验。结果表明:同一位置的不同探测器测量值存在显著差异,基于合理的探测器组合,采用上述方法能够显著减小测量值偏差,偏差可达3%以内。因此,两种方法均能有效抑制截面差异引入的测量影响,并且方程组法仅需要两种探测器,相比最小二乘法更有一定的优势。此外,该方法还适用于其他热中子辐照样品。

摘要：介绍了一种利用微型计算机自动采集和处理数据的硅单晶应力检测系统。该系统由红外光源、偏振元件、样品架、红外摄像机、电视监视器、专用I/O 接口以及微型计算机组成。用自己设计的软件对光弹图形进行处理,得到样片中各点的应力分布。

摘要：采用硅单晶抛光片取代９５－瓷、微晶玻璃及环氧敷铜板等材料做为基片，制作混合集成电路，生产成本低、产品设计变更快、工艺简便可行，对生产某些体积小、产量低的特殊混合集成电路模块是一种行之有效的方法。

摘要：实验室简介山东省硅单晶半导体材料与技术重点实验室聚焦山东省八大发展战略和德州市“541”产业体系,由山东有研半导体材料有限公司、德州学院和山东有研艾斯半导体材料有限公司联合组建,打造“一基地,一研发中心,一学院”的融通创新模式。重点实验室以突破硅单晶半导体材料制造、大尺寸硅单晶加工和新型半导体创制等“卡脖子”技术为目标,凝练形成半导体晶体材料的制备、半导体晶片精密加工、半导体材料表征技术和半导体材料应用拓展四个研究方向。充分利用山东有研丰富的半导体硅材料产业化经验和发挥德州学院先进材料设计和应用研究优势,探索其在多个领域的应用,全面支撑我国半导体产业发展。

摘要：针对目前高校太阳能电池实验教学大多基于单晶、多晶、非晶硅样品及不能解释不同电池性能差异本质原因的不足,新开设砷化镓单晶和硅单晶太阳能电池对比实验。该实验在暗伏安特性、开路电压和短路电流、输出特性等传统测量及数学拟合基础上,还给出在全光强范围内的最大输出功率值、开路电压短路电流的乘积值及其线性拟合,并据此提供全光强范围的填充因子曲线。最后,结合第一性原理方法计算的能带图,解释了两种太阳能电池性能差异的根本原因,弥补了以往实验教学的不足。

摘要：由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展。综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的300毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度。最后,还讨论了硅单晶材料的今后的研究方向和趋势。

摘要：1、产品及其简介公司立足自主创新，攻克了12英寸硅单晶生长的热场设计和安全、杂质和缺陷的控制、硅片几何参数的精密控制、表面金属和颗粒的去除等关键技术难题，形成了从单晶生长到晶片加工、处理和检测的自有成套技术，并利用该套技术开发成功直径12英寸硅单晶抛光片新产品，填补了国内空白。产品关键参数达到了国际先进水平，可满足0．13—0．10微米线宽的先进集成电路制造技术要求，并建成了我国第一条月产1万片直径12英寸硅单晶抛光片中试生产线。

摘要：450mm直径的硅片面积比目前主流300mm硅片面积大2.25倍,是下一代半导体芯片的衬底。国外许多半导体设备和材料公司已联手开展这方面的研究工作。从技术和市场角度讨论分析了以下问题:①投料量和单晶收率的关系;②籽晶的承重;③设备安全性,防止一氯化硅粉尘的爆燃;④晶体质量的控制,从热场的选择和设计、缺陷控制、单晶体金属控制等方面做了分析;⑤对当前国内外相关原材料的市场情况进行了讨论。文章指出,现在国内直径450mm硅晶体生长的研发条件已经成熟。

摘要：分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、(1.5～4.5)×103Ω.cm和P型、(1.0～5.0)×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈几何结构(包括上下表面角度、内径尺寸及台阶设计)基本相同、单晶生长速率相同且上、下晶轴旋转具有相同配置的情况下,不同的单晶生长系统所生长的单晶,其电阻率径向均匀性有明显差异,用L4575-ZE区熔炉生长的单晶的电阻率径向分布更均匀。