摘要：通过测量硅膜片的结构设计和压力传感器外界保护结构设计,实现了压力传感器过载保护的目的。针对差压传感器表现为正负双腔和中心过载保护膜片联动保护的设计方案,即当过载压力达到超高差压之前,使高压侧膜片和基体贴合,低压侧膜片鼓出,阻止超高差压传入传感器内;对于表压和绝压传感器表现为测量端和过载保护膜片联动的设计方案,即当过载压力达到超高压之前,使测量端膜片和基体贴合,过载保护膜片鼓起,阻止超高压传入传感器内。

摘要：介绍利用AutoLisp语言编程实现硅压力传感器版图自动生成的CAD系统,并给出C型压阻式压力传感器版图的设计实例.

摘要：介绍在ＩＢＭ及其兼容系列微型机上，实现硅压力传感器版图ＣＡＤ软件的设计方法。该软件可使版图自动生成，并可代替人工进行绘图。

摘要：针对硅压阻式传感器存在的温度漂移误差和输出信号的非线性提出了利用MAX1452温度调理芯片进行补偿的方案。描述了传感器温度补偿系统的整体构架,着重阐述了MAX1452的补偿原理以及对传感器的补偿过程。测试结果表明传感器经过补偿以后,在-40-80℃的温度范围内输出的信号与压力成较好的线性关系,测量的误差小于0.8%。

摘要：可靠性强化试验是一项不同于传统可靠性模拟实验的激发式试验技术,它的理论依据是故障物理学,通过发现、研究和根治故障达到提高可靠性的目的。文中在对硅压力传感器失效模式和失效机理调研的基础上,对其进行温度、振动可靠性强化试验研究。通过基于传统设备的高温、低温、振动步进及高温、振动恒定试验,使产品设计和工艺缺陷得以暴露,并提出相关改进措施。

摘要：美国BB公司生产的XTR101是一种4～20mA二线变送器微型电路、内部含有一个高精度检测放大器,一个电压控制输出电流源,及两组数值完全相等的基准电流。这种二线变送器采用同一对线完成对信号和电源的传送。由于采用电流的形式传送信号,所以可以避免长距离传送引起的电压下降及来自发动机、马达、继电器、开关。

摘要：通过提高硅压力传感器的高温环境应力,研究制定了其加速寿命试验的设计方案,进行了步进应力加速寿命试验。利用线性回归方法完成了试验数据的统计和分析,应用威布尔分布函数描述其寿命分布并完成了常温应力下的寿命预测。研究结果表明,试验设计方案是正确可行的,硅压力传感器的寿命服从威布尔分布,其加速模型符合阿伦尼斯方程,加速参数的精确计算确保以后在很短的时间内便可估算出在正常应力下的寿命。

摘要：作者对最新设计的具有方形硅膜片的 CMOS 集成硅压力传感器的特性进行了理论的和实验的分析。结果表明:传感器的非线性是由硅膜片的大幅度偏折(deflecti-on)和压阻元件的非线性压阻特性所引起的。文章还指出了将非线性减至最小程度时传感器的最佳结构形式。对所制得的压力传感器的非线性作了测量,其值与数学分析值十分吻合。

摘要：本文提出了一种硅压力传感器的温度补偿方法,同时给出了如何进行温度补偿以及非线性修正的具体算法,实现了硅压力传感器宽温度范围下的高精度测量。

摘要：Apogee Technology公司推出Sensilica系列“全硅”压力传感器。与现有产品相比,该公司的第一款MEMS产品在尺寸、成本、性能和可靠性上均具有相当的优势。此外,Apogee公司还计划在年内推出六款新的Sensilica产品以满足工业、消费、汽车、医疗和HVAC等领域对压力传感器的需求。